[发明专利]一种半导体器件的制作方法

说明书

本发明公开了一种半导体器件的制作方法，属于半导体器件制作领域。所述制作方法包括：提供一衬底，在所述衬底上形成垫氧化层；在所述衬底内形成浅沟槽隔离结构；在所述衬底内形成漂移区和阱区，且所述漂移区环绕所述浅沟槽隔离结构，所述阱区位于所述漂移区一侧；刻蚀所述浅沟槽隔离结构，形成第一分部；刻蚀所述垫氧化层，形成第二分部，且所述第一分部和所述第二分部接触，所述第二分部低于所述第一分部；在所述第一分部和所述第二分部上形成栅极结构；在所述阱区内形成源区；以及在所述漂移区内形成漏区。通过本发明提供的一种半导体器件的制作方法，可获得高质量半导体器件。

技术领域

本发明属于半导体器件制作领域，特别涉及一种半导体器件的制作方法。

背景技术

集成电源管理电路(Power Management IC，PMIC)是用于电压转换、稳压以及电池管理的集成电路。通过PMIC可以处理电源系统时序，为多种负载供电，管理多个外部电源。其中，横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(Lateral double diffusion MOS，LDMOS)可以在开关模式下工作，功耗极低。且LDMOS是整个集成电源管理电路的关键。常用LDMOS结构带有浅沟槽隔离结构，但工作时，高电场易在浅沟槽隔离结构与栅极氧化层接触界面出现击穿现象，导致生产良率下降。

因此，提供既耐高压，还能提高生产良率的半导体器件的制作方法成为了一个重点研究。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件的制作方法，通过本发明提供的半导体器件的制作方法，可获得高质量的半导体器件，并提高半导体器件的耐压性。

为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

本发明提供一种半导体器件的制作方法，其至少包括以下步骤：

提供一衬底，在所述衬底上形成垫氧化层；

在所述衬底内形成浅沟槽隔离结构；

在所述衬底内形成漂移区和阱区，且所述漂移区环绕所述浅沟槽隔离结构，所述阱区位于所述漂移区一侧；

刻蚀所述浅沟槽隔离结构，形成第一分部；

刻蚀所述垫氧化层，形成第二分部，且所述第一分部和所述第二分部接触，所述第二分部的高度低于所述第一分部的高度；

在所述第一分部和所述第二分部上形成栅极结构；

在所述阱区内形成源区；以及

在所述漂移区内形成漏区。

在本发明一实施例中，所述第一分部和所述第二分部的形成步骤包括：

在所述垫氧化层和所述浅沟槽隔离结构上形成第一图案化的光刻胶层；以及

以所述第一图案化的光刻胶层为掩膜，刻蚀部分所述垫氧化层和所述浅沟槽隔离结构；

其中，所述第一图案化的光刻胶层覆盖部分所述浅沟槽隔离结构和所述浅沟槽隔离结构靠近所述阱区一侧的部分所述垫氧化层。

在本发明一实施例中，所述第二分部覆盖部分所述漂移区，所述第二分部延伸至所述漂移区和所述阱区之间的所述衬底上。

在本发明一实施例中，所述第二分部覆盖部分所述漂移区，所述第二分部延伸至所述阱区上。

在本发明一实施例中，在形成所述第一分部和所述第二分部后，所述半导体器件的制作方法还包括以下步骤：在所述衬底上形成氧化层，并蚀刻所述氧化层，形成第三分部。

在本发明一实施例中，所述半导体器件的制作方法包括以下步骤：在所述第三分部、所述第二分部以及所述第一分部上形成所述栅极结构。