[发明专利]一种半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 202210941307.6 | 申请日： | 2022-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN115020212B | 公开（公告）日： | 2022-11-08 |
| 发明（设计）人： | 王梦慧;李庆民;陈信全;杨宗凯 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 林安安 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，其至少包括以下步骤：
提供一衬底，在所述衬底上形成垫氧化层；
在所述衬底内形成浅沟槽隔离结构；
在所述衬底内形成漂移区和阱区，且所述漂移区环绕所述浅沟槽隔离结构，所述阱区位于所述漂移区一侧；
刻蚀所述浅沟槽隔离结构，形成第一分部；
刻蚀所述垫氧化层，形成第二分部，且所述第一分部和所述第二分部接触，所述第二分部低于所述第一分部；
在所述衬底上形成氧化层，并蚀刻所述氧化层，形成第三分部；
在所述第三分部、所述第二分部以及所述第一分部上形成栅极结构，且所述栅极结构和所述第三分部在同一刻蚀步骤中形成；
在所述阱区内形成源区；以及
在所述漂移区内形成漏区。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一分部和所述第二分部的形成步骤包括：
在所述垫氧化层和所述浅沟槽隔离结构上形成第一图案化的光刻胶层；以及
以所述第一图案化的光刻胶层为掩膜，刻蚀部分所述垫氧化层和所述浅沟槽隔离结构；
其中，所述第一图案化的光刻胶层覆盖部分所述浅沟槽隔离结构和所述浅沟槽隔离结构靠近所述阱区一侧的部分所述垫氧化层。
3.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第二分部覆盖部分所述漂移区，所述第二分部延伸至所述漂移区和所述阱区之间的所述衬底上。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第二分部覆盖部分所述漂移区，所述第二分部延伸至所述阱区上。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第三分部和所述栅极结构的制作方法包括以下步骤：
在所述氧化层上形成栅极材料层；
在所述栅极材料层上形成第二图案化的光刻胶层；以及
以所述第二图案化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述栅极材料层和所述氧化层，形成所述栅极结构和所述第三分部；
其中，所述第三分部位于所述第二分部远离所述第一分部的一侧，且所述第三分部与所述第二分部接触。
6.根据权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第三分部低于所述第二分部。
7.根据权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，刻蚀所述栅极材料层和所述氧化层的气体包括氯气、六氟化硫、四氯化硅、三氟甲烷或四氟化碳中的一种或几种混合。
8.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件的制作方法包括：在所述栅极结构两侧形成侧墙结构后，再形成所述源区和所述漏区。
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