[发明专利]半导体设备的漏气处理方法和装置有效
| 申请号： | 202210880939.6 | 申请日： | 2022-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN114937627B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 万军;兰丽丽 | 申请（专利权）人： | 江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;G01M3/04 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 何明伦 |
| 地址： | 226400 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体设备的漏气处理方法与装置，方法包括：基于设置于潜在漏气点的气体流动检测装置反馈的检测信号确定漏气点位置，基于漏气点位置确定半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆，基于异常工艺腔室当前所处的工艺节点，确定漏气点对应的泄漏气体种类，并基于泄漏气体种类确定泄漏气体是否为危险气体，若泄漏气体为危险气体，控制半导体设备停机并发送检修通知，若泄漏气体不是危险气体，基于异常工艺腔室和异常晶圆信息调整当前批次晶圆的工艺总任务，并基于调整后的工艺总任务控制非异常晶圆通过非异常工艺腔室进行工艺，在非异常晶圆工艺结束后控制半导体设备停机并发送检修通知，能在确保工艺安全性的同时提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体设备 漏气 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
