[发明专利]半导体设备的漏气处理方法和装置有效
申请号: | 202210880939.6 | 申请日: | 2022-07-26 |
公开(公告)号: | CN114937627B | 公开(公告)日: | 2022-10-25 |
发明(设计)人: | 万军;兰丽丽 | 申请(专利权)人: | 江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;G01M3/04 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 何明伦 |
地址: | 226400 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体设备 漏气 处理 方法 装置 | ||
本申请提供一种半导体设备的漏气处理方法与装置,方法包括:基于设置于潜在漏气点的气体流动检测装置反馈的检测信号确定漏气点位置,基于漏气点位置确定半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆,基于异常工艺腔室当前所处的工艺节点,确定漏气点对应的泄漏气体种类,并基于泄漏气体种类确定泄漏气体是否为危险气体,若泄漏气体为危险气体,控制半导体设备停机并发送检修通知,若泄漏气体不是危险气体,基于异常工艺腔室和异常晶圆信息调整当前批次晶圆的工艺总任务,并基于调整后的工艺总任务控制非异常晶圆通过非异常工艺腔室进行工艺,在非异常晶圆工艺结束后控制半导体设备停机并发送检修通知,能在确保工艺安全性的同时提高生产效率。
技术领域
本申请涉及半导体技术领域,尤其涉及一种半导体设备的漏气处理方法和装置。
背景技术
半导体行业对于设备内部的气密性要求非常高,因为一旦产生漏气的情形,轻则导致工艺过程产品报废,重则由于工艺过程中可能会产生有毒有害气体,一旦发生泄露,将会造成事故或者人员伤亡。因此,在半导体的生产制备过程中,需要经常对设备的气密性进行检修,以保证生产过程中能达到工艺标准要求和生产安全性。
现有的气密性检修方案是在每次执行工艺流程之前,把半导体设备各腔室及通道关闭,然后把各腔室内部的空气抽干,形成真空,再检测各腔室内气压的变化。若腔室内的气压保持不变,说明半导体设备不存在漏气。相反,若腔室内的气压不断上升,说明半导体设备存在漏气。若发现半导体设备漏气,相关技术人员会先将设备恢复到大气压环境,然后对设备各个可能产生漏气的部位进行检查。检查出漏气点之后,对其进行修复并再次执行上述漏气检测过程,确保半导体设备不存在漏气点之后再进行工艺制备。
上述气密性检修方案存在以下问题:1、需要人工反复检查并定位漏气点,检测效率低下;2、只能在工艺制备前进行漏气检测,对于工艺制备过程中发生的漏气无法及时检测,仍然存在产品报废、事故或人员伤亡等隐患;3、当在工艺制备过程中发现设备漏气时,由于无法确定泄露气体类型,现有的处理方式通常直接停机检修以确保安全,这将导致半导体设备长时间无法工作,大大降低了半导体设备的生产效率。
发明内容
本申请提供一种半导体设备的漏气处理方法和装置,以用于在半导体设备工作过程中高效及时地对漏气进行自动化检测和处理,在确保半导体设备安全性的基础上最大限度提高半导体设备的生产效率。
本申请提供一种半导体设备的漏气处理方法,所述方法包括:
基于设置于潜在漏气点的气体流动检测装置反馈的检测信号,确定漏气点位置;
基于所述漏气点位置,确定半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆;所述异常晶圆指所述异常工艺腔室中处于工艺过程中的晶圆;
基于所述异常工艺腔室当前所处的工艺节点,确定所述漏气点对应的泄漏气体种类,并基于所述泄漏气体种类确定泄漏气体是否为危险气体;
若所述泄漏气体为危险气体,控制所述半导体设备停机并发送检修通知;若所述泄漏气体不是危险气体,基于所述半导体设备中的异常工艺腔室和异常晶圆信息调整当前批次晶圆的工艺总任务,并基于调整后的工艺总任务控制非异常晶圆继续通过非异常工艺腔室进行工艺,在所述非异常晶圆工艺结束后控制所述半导体设备停机并发送检修通知。
根据本申请提供的一种半导体设备的漏气处理方法,所述基于所述漏气点位置,确定半导体设备中的异常工艺腔室,具体包括:
若所述漏气点位于腔室部,将所述漏气点对应的工艺腔室以及所述工艺腔室的关联工艺腔室标记为异常工艺腔室;
若所述漏气点位于连接部,将所述连接部对应的至少一个工艺腔室标记为异常工艺腔室;
若所述漏气点位于功能部,将所述功能部对应的工艺腔室标记为异常工艺腔室。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造