[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210872861.3 | 申请日： | 2022-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN115148789A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 陈正嵘;钱文生;陈思彤;许昭昭;宋婉;刘冬华;卫乐平 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/36;H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张瑞 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括器件区、以及包围所述器件区的保护环区；在所述器件区内形成功率器件、以及在所述保护环区内形成保护环，所述保护环内具有第一掺杂离子，其中，所述保护环内的第一掺杂离子由在形成所述功率器件过程中采用的部分掺杂工艺形成，所述保护环内的第一掺杂离子的电学类型与所述功率器件的器件类型不同。由于所述保护环的形成是利用形成所述功率器件中采用的必要的掺杂工艺同步形成，避免了额外采用光罩工艺和掺杂工艺形成所述保护环，有效减少了制程步骤和制程成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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