[发明专利]匀气装置及半导体工艺设备有效
申请号: | 202210868666.3 | 申请日: | 2022-07-22 |
公开(公告)号: | CN115233189B | 公开(公告)日: | 2023-10-13 |
发明(设计)人: | 魏景峰;朱磊;陈平 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明提供一种匀气装置及半导体工艺设备,包括沿进气方向依次设置的第一匀气盘、第二匀气盘和第三匀气盘,其中,第一匀气盘的中心设置有第一进气孔,第二匀气盘的中心设置有第二进气孔;第一匀气盘和第二匀气盘之间形成有相对于第一匀气盘的中心对称分布的多个第一匀气通道;第二匀气盘与第三匀气盘之间设置有多个第二匀气通道和多个第三匀气通道,且多个第二匀气通道与多个第三匀气通道均相对于第一匀气盘的中心对称分布,且相互隔离;各个连接通道的出气端一一对应地与各个第二匀气通道连通。本发明提供的匀气装置及半导体工艺设备,不仅可以降低加工难度,提高洁净度,而且还可以提高匀气效果和进气效率。 | ||
搜索关键词: | 装置 半导体 工艺设备 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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