[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202210839787.5 | 申请日： | 2022-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN115642146A | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 姜旼声;文泂烈;赵星东;赵原熙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;李竞飞 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置包括：包括第一区域和第二区域的半导体基板；在第一区域上以第一间隔彼此间隔开的第一金属线；在第二区域上以第二间隔彼此间隔开的第二金属线，第二间隔小于第一间隔；以及在半导体基板上并覆盖第一金属线和第二金属线的钝化层，钝化层包括侧壁部、上部和气隙，侧壁部覆盖第一金属线和第二金属线的侧壁，侧壁部包括多孔介电层，上部覆盖第一金属线和第二金属线的顶表面，气隙由第二金属线之间的侧壁部限定。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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