[发明专利]一种超声换能器及其制备方法和应用在审

申请号：	202210839758.9	申请日：	2022-07-18
公开（公告）号：	CN115274716A	公开（公告）日：	2022-11-01
发明（设计）人：	李明;刘玉荣;姚若河;耿魁伟	申请（专利权）人：	华南理工大学
主分类号：	H01L27/13	分类号：	H01L27/13;H01L21/336;H01L29/786;H01L41/08;H01L41/22;A61B8/00
代理公司：	广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205	代理人：	齐键
地址：	510641 广***	国省代码：	广东;44
权利要求书：	暂无信息	说明书：	暂无信息
摘要：	本发明公开了一种超声换能器及其制备方法和应用。本发明的超声换能器的组成包括依次设置的柔性衬底、薄膜晶体管、压电触觉传感器和电容式微加工超声换能器。本发明的超声换能器的制备方法包括以下步骤：在柔性衬底上依次制备薄膜晶体管、压电触觉传感器和电容式微加工超声换能器，即得超声换能器。本发明的超声换能器兼具超声成像和触觉传感功能，具有超声驱动电压低、信噪比高、灵敏度高、可寻址阵列化、柔性可弯曲等优点，适合进行大规模推广应用。
搜索关键词：	一种超声换能器及其制备方法应用
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摘要：本发明公开了一种制造像素结构的方法及像素结构，其包含：形成源极、漏极及第一电容电极；形成半导体层接触源极的一部分及漏极的一部分；形成栅极及第二电容电极，第二电容电极大致对准第一电容电极；形成位于半导体层、源极、漏极及第一电容电极，与栅极及第二电容电极之间的栅介电层；在源极、漏极、第一电容电极、半导体层、栅极及第二电容电极的上方形成保护层；以及在保护层上方形成像素电极，像素电极大致对准第一电容电极。此方法在不变动周边线路的情况下，可用以制造包含底栅型薄膜电晶体的像素结构或包含顶栅型薄膜电晶体的像素结构，且所形成的这两种像素结构皆具有足够的电容。

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申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L27/13
摘要：本发明公开了一种基于喷墨打印技术的柔性可穿戴式系统及其制造方法，使用喷墨打印技术印刷电路，制造集成无线能量收集、存储和传感单元的全印刷可穿戴系统。在柔性聚合物基材上打印集成NFC天线，肖特基二极管，超级电容器和传感器。采用银纳米粒子油墨打印制造NFC天线和导线，并将NFC天线作为无线能量接收部件。采用铂纳米粒子油墨和铝纳米粒子油墨在氧化锌薄膜上打印制造肖特基二极管。采用单壁碳纳米管和二氧化锰组成的混合油墨打印制造超级电容器，并作为储能部件。采用聚乙烯醇/磷酸固体凝胶作为电解质。并按需求进行电路连接，进而构成柔性可穿戴式系统。

一种抗干扰抗腐蚀厚膜混合集成电路-201520992967.2
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申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L27/13
摘要：抗干扰抗腐蚀厚膜混合集成电路，由管帽、管基、管脚、半导体集成电路芯片组成，半导体集成电路芯片用键合丝键合在管基厚膜陶瓷基片金属键合区上，管帽封装在管基之上；与原有厚膜混合集成电路不同的是：管帽有金属内层和陶瓷外层，管基有陶瓷基体,管基内表面有金属内层；另有片式元器件装贴在厚膜陶瓷基片上。这样，管基和管帽将陶瓷材料和金属材料二者有机结合，实现从低频到高频的电磁屏蔽，使封装内外电磁环境达到良好的隔离，从而实现厚膜混合集成电路的抗干扰抗腐蚀能力。用本方法生产的器件广泛应用于航天、航空、船舶、电子、通讯、医疗设备、工业控制等领域，特别适用于装备系统小型化、高频、高可靠的领域。

金属薄膜电阻器及工艺-201480071999.7
发明人： A·阿里;E·比奇 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
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摘要：在所描述的示例中，集成电路(100)被形成为具有金属薄膜电阻器(112)和上面的刻蚀停止层(202)。在一种示例工艺中，利用添加一个光刻步骤，在集成电路(100)中形成金属薄膜电阻器(112)。

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摘要：一种高可靠无引线球脚表贴式厚膜混合集成电路，底座上安装有氧化铝陶瓷基片和氮化铝陶瓷基片，小功率芯片和大功率芯片分别布置于氧化铝陶瓷基片和氮化铝陶瓷基片上，底座与所述两种陶瓷基片之间，开有金属通孔；底座的底面有引出端焊接球；小功率芯片和半导体裸芯片分别焊接在相应的金属焊接区上，芯片级封装芯片和传感信号处理芯片焊接在球型焊接区之上，在氮化铝陶瓷基片的正面集成有热敏电阻，其上有厚膜绝缘介质膜，大功率芯片安装于厚膜绝缘介质膜上。其优点是可通过来热敏电阻感知内部温升从而采取保护措施、高频干扰小，适用于大功率、高频等应用领域。

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摘要：本实用新型提供一种基于蓝宝石基板的LED灯丝，包括蓝宝石基板，该蓝宝石基板上设置一层ITO薄膜层，在所述ITO薄膜层上通过刻蚀工艺形成线路层，以及在所述蓝宝石基板上形成多个固晶区，多个倒装LED裸芯片设置在所述固晶区内，所述多个倒装LED裸芯片以焊接的方式串接在所述线路层中；在所述蓝宝石基板的正面和反面都设有荧光层；在所述线路层设有电阻图形并通过溅射工艺在其上沉积ITO材料形成电阻。采用本实用新型的技术方案，由于采用蓝宝石基板，从而使LED芯片真正实现360°出光，大大提升了LED灯丝的立体出光效果；由于将倒装LED裸芯片直接封装在蓝宝石基板上，大大缩小了LED灯丝的尺寸，也简化了LED封装工艺。

一种蓝宝石基板LED灯丝-201520863565.2
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摘要：本实用新型提供一种蓝宝石基板LED灯丝，包括蓝宝石基板，该蓝宝石基板上设置一层ITO薄膜层，在所述ITO薄膜层上通过刻蚀工艺形成线路层，以及在所述蓝宝石基板上形成多个固晶区，多个正装LED裸芯片设置在所述固晶区内，所述多个正装LED裸芯片以金线键合的方式串接在所述线路层中；在所述蓝宝石基板的正面和反面都设有荧光层；在所述线路层设有电阻图形并通过溅射工艺在其上沉积ITO材料形成电阻。采用本实用新型的技术方案，由于采用蓝宝石基板，从而使LED芯片真正实现360°出光，大大提升了LED灯丝的立体出光效果；由于将正装LED裸芯片直接封装在蓝宝石基板上，大大缩小了LED灯丝的尺寸，也简化了LED封装工艺。

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发明人：杨成刚;苏贵东 -专利权人：贵州振华风光半导体有限公司
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L27/13
摘要：高集成高可靠工作温度可控薄膜混合集成电路，由器件管壳基座(1)、管脚(9)、陶瓷基片(2)、半导体芯片(3)、热敏元件(4)、薄膜阻带(5)、薄膜导带/键合区(6)、N型半导体(7)、P型半导体(8)、微型热电致冷器（11）和绝缘介质(10)组成，陶瓷基片(2)正面是微型热电致冷器(11)与常规混合集成电路的一体化集成，包括薄膜阻带(5)、薄膜导带/键合区(6)、半导体芯片(3)以及微型元器件；N型半导体(7)、P型半导体(8)两端引有连接线，之间填充绝缘介质(10)；陶瓷基片(2)背面置于器件管壳基座(1)之上，管脚(9)装在器件管壳基座(1)的两端。本集成电路可以解决外界温度在125℃以上或-55℃以下的正常工作问题。广泛应用于航天、航空、船舶、精密仪器、地质勘探、石油勘探、通讯等领域。

高集成高可靠工作温度可控厚膜混合集成电路-201120557336.X
发明人：杨成刚;苏贵东 -专利权人：贵州振华风光半导体有限公司
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： H01L27/13
摘要：高集成高可靠工作温度可控厚膜混合集成电路，包括器件管壳基座(1)、管脚(9)、上陶瓷基片(2)、下陶瓷基片(12)、半导体芯片(3)、热敏元件(4)、厚膜阻带(5)、厚膜导带/键合区(6)、N型半导体(7)、P型半导体(8)、微型热电致冷器（11）和绝缘介质(10)，上陶瓷基片(2)正面为常规的混合集成电路；背面集成微型热电致冷器(11)和N型半导体(7)及P型半导体(8)；N型半导体(7)、P型半导体(8)两端有引出连接线，填充有绝缘介质(10)；下陶瓷基片(12)背面通过金属膜置于器件管壳基座(1)之上；管脚(9)装在器件管壳基座(1)两端。本集成电路可以解决外界温度在125℃以上或-55℃以下的正常工作问题。广泛应用于航天、航空、船舶、精密仪器、地质勘探、石油勘探、通讯等领域。

高集成高可靠工作温度可控薄膜混合集成电路的集成方法-201110445748.9
发明人：杨成刚;苏贵东 -专利权人：贵州振华风光半导体有限公司
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01L27/13
摘要：高集成高可靠工作温度可控薄膜混合集成电路及其集成方法，该电路由器件管壳基座(1)、管脚(9)、氮化铝陶瓷基片(2)、半导体芯片(3)、热敏元件(4)、薄膜阻带(5)、薄膜导带/键合区(6)、N型半导体(7)、P型半导体(8)、微型热电致冷器（11）和绝缘介质(10)组成，陶瓷基片(2)正面是微型热电致冷器(11)与常规混合集成电路的一体化集成；N型半导体(7)、P型半导体(8)两端引有连接线，之间填充绝缘介质(10)；陶瓷基片(2)置于器件管壳基座(1)之上。集成方法是高真空溅射并进行刻蚀形成金属电极、N型半导体、P型半导体。本集成电路可以解决外界温度在125℃以上或-55℃以下的正常工作问题。广泛应用于航天、航空、船舶、精密仪器、地质勘探、石油勘探、通讯等领域。

半导体器件和制造它的方法-201010201360.X
发明人：鹤目卓也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-01-18 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H01L27/13
摘要：本发明的目的是提供具有足以用作天线的导电膜的半导体器件，和制造它的方法。半导体器件具有设置在衬底上的包括晶体管的元件形成层，设置在元件形成层上的绝缘膜，和设置在绝缘膜上的用作天线的导电膜。绝缘膜具有槽。导电膜沿绝缘膜和槽的表面设置。绝缘膜的槽可被设置穿过绝缘膜。或者，可在绝缘膜中设置凹形部分以便不穿过绝缘膜。对槽的结构没有特殊限制，例如，可设置槽具有锥形形状等。

膜状物品及其制作方法-201010235687.9
发明人：荒井康行;秋叶麻衣;神野洋平;舘村祐子 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2005-01-20 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L27/13
摘要：本发明涉及膜状物品及其制作方法。由于由硅晶片形成的芯片厚，因此该芯片从表面突出，或者该芯片如此大以至于通过眼睛能看到它，这影响了商务卡等的设计。因此，本发明的目的是提供一种新的集成电路，其具有一种结构，利用该结构不会影响所述设计。鉴于上述问题，本发明的特征是使膜状物品配备有薄膜集成电路。本发明的另一特征是IDF芯片具有0.2mm或更小的半导体膜作为有源区。因此，与由硅晶片形成的芯片相比，IDF芯片可以被制作得更薄。除此之外，与由硅晶片形成的芯片不同，这种集成电路可以具有透光特性。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的

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[发明专利]一种超声换能器及其制备方法和应用在审

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