[发明专利]三维半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202210839129.6 | 申请日： | 2022-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN115881691A | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 金孝真;河大元 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/02;H01L27/088 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 纪雯;倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了三维半导体器件及其制造方法。所述器件包括：第一有源区，在衬底上，并且包括第一源/漏图案和被连接到所述第一源/漏图案的第一沟道图案；第一有源接触部，在所述第一源/漏图案上；第二有源区，在所述第一有源区和所述第一有源接触部上，并且包括第二源/漏图案和被连接到所述第二源/漏图案的第二沟道图案；第二有源接触部，在所述第二源/漏图案上；栅电极，所述栅电极从所述第一沟道图案朝着所述第二沟道图案竖直地延伸；第一电力线和第二电力线，在所述第一有源区下方；以及第一金属层，在所述栅电极和所述第二有源接触部上。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210839129.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
