[发明专利]集成HJD的碳化硅UMOSFET器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210808416.0 | 申请日： | 2022-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN115332336A | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 何艳静;毛雪妮;汤晓燕;袁昊;宋庆文;弓小武;张玉明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/16;H01L29/423 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 万艳艳 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成HJD的碳化硅UMOSFET器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：衬底；外延层，位于衬底的一侧；间隔排布的第一注入区和第二注入区，分别位于外延层背离衬底的一侧；多晶硅层，位于第一注入区与第二注入区之间，且位于外延层背离衬底的一侧，多晶硅层与外延层之间为异质结接触；源极，位于第一注入区、第二注入区和多晶硅层背离衬底的一侧，且源极至少部分覆盖第一注入区、第二注入区和多晶硅层。本申请能够减小了开关的损耗，提高了器件的能量转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 hjd 碳化硅 umosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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