[发明专利]包括含碳接触件栅栏的半导体装置在审
| 申请号： | 202210793024.1 | 申请日： | 2022-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN115939098A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 安浚赫;金熙中;李基硕;李明东 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01B1/04 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;肖学蕊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置，包括；有源区，其由衬底上的隔离膜限定；字线，其位于衬底中，该字线在第一方向上延伸并且与有源区交叉；位线，其位于字线上方并且在第二方向上延伸；接触件，其位于在第一方向上相邻的位线之间，该接触件连接有源区并在竖直方向上延伸；以及接触件栅栏，其设置在接触件在第二方向上的相对的侧表面中的每个侧表面上并且在竖直方向上延伸，其中，有源区具有倾斜于第一方向延伸的条形，并且接触件栅栏包括含碳绝缘膜。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 接触 栅栏 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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