[发明专利]定向中子探测器、探测方法在审
| 申请号： | 202210791870.X | 申请日： | 2022-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN115291273A | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 丁毅;孙远东;董红;郑旭;全豪;罗锋;刘继凯;张俊奎;孙兵;李金伟;赵颖图 | 申请（专利权）人： | 北京合鲸科技发展有限公司 |
| 主分类号： | G01T3/08 | 分类号： | G01T3/08;G01T3/02 |
| 代理公司： | 北京卫智易创专利代理事务所(普通合伙) 16015 | 代理人： | 朱春野 |
| 地址： | 100176 北京市通州区北京经*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了定向中子探测器、探测方法；该探测器包括：具有至少一个开口端的腔体，形成该腔体的壁上设置有中子屏蔽层，该中子屏蔽层用于防止慢中子通过腔体的壁进入腔体的内部；慢中子转换部件，设置在腔体内部，用于接收从开口端进入腔体中的慢中子，产生He离子；半导体探测部件，设置在腔体内部，与慢中子转换部件适配设置，用于接收慢中子转换部件产生的He离子，并激发半导体产生电子空穴对，形成脉冲电信号；信号处理电路，设置与探测部件连接，用于接收并处理半导体探测部件产生的电信号。不仅能够测定中子源的方向，而且可以根据需要制造不同尺寸的探测器组件或探测器阵列，可以在固定位置进行中子检测，也便于携带，进行移动探测作业。 | ||
| 搜索关键词： | 定向 中子 探测器 探测 方法 | ||
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- 本文公开了一种用于检测辐射的装置及其制备方法。该方法可以包括在半导体衬底(102)中形成凹部(104)，其中所述半导体衬底(102)的一部分(107)延伸到所述凹部(104)中并且被所述凹部(104)包围；在所述凹部(104)中形成半导体单晶(106)，所述半导体单晶(106)具有与所述半导体衬底(102)不同的组成；在所述半导体衬底(102)中形成第一掺杂半导体区(108)；在所述半导体衬底(102)中形成第二掺杂半导体区(109)；其中所述第一掺杂半导体区(108)和所述第二掺杂半导体区(109)形成将所述部分(107)与所述半导体衬底(102)的其余部分分开的p‑n结。
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