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- [发明专利]一种U型自支撑靶膜的制备方法-CN202310554135.1在审
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樊启文;孟波;任杰;阮锡超;王华;张榕
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中国原子能科学研究院
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2023-05-17
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2023-09-15
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C23C14/06
- 本发明属于核反应测量技术领域，具体涉及一种U型自支撑靶膜的制备方法，包括如下步骤：步骤S1，通过衬底材料制备靶膜；步骤S2，脱模；步骤S3，通过夹持装置夹持U型靶框的开口处，进行捞膜，使得靶膜固定在U型靶框上；步骤S4，利用“点断法”将夹持装置与靶膜断开，得到所需U型自支撑靶膜。本发明突破了本领域技术人员的思维固式，创造性地想到了将夹持装置夹住U型靶框开口端，极大地降低了捞膜难度，提高了成功率。利用夹持装置将U型靶框开端口封闭变为封闭型靶框。采用本发明提供的U型自支撑靶膜的制备方法，该方法制备U型自支撑靶膜的效率高，捞膜成功率近100％，尤其是解决了传统的捞膜方法成功率不高于20％的技术缺陷。
- 一种支撑制备方法
- [发明专利]一种获取氘氚中子源能谱和角分布的方法-CN202211661147.6在审
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聂阳波;张时宇;丁琰琰;阮锡超;任杰
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中国原子能科学研究院
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2022-12-23
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2023-06-23
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G01T3/00
- 本发明公开了一种获取氘氚中子源能谱和角分布的方法，采用基于SiC探测器的D‑T中子辐射场测量系统，可同时测量两种反应的伴随粒子，能谱上可区分，得到α粒子和质子的计数率；考虑了D‑T反应中由于靶沉积导致的D‑D反应的影响，获得D‑T、D‑D中子源的能谱和角分布，有效提升了能谱和角分布精确度；本发明的方法对伴随粒子的管道，光栅等靶管相关参数并无要求，操作简单，只需要测量一组数据即可得到全空间的能谱分布，不需要逐一测量不同角度，可对所有D‑T中子源进行测量；且本发明的方法可应用于在有伴随粒子通道预留的直流束或者脉冲束D‑T加速器中子源上，尤其对于靶上有氘束流沉积的情况下，可更为精确的获得D‑T中子源的能谱和角分布。
- 一种获取中子源角分布方法
- [发明专利]一种探测器γ响应函数的高斯展宽及解谱方法-CN202110078996.8有效
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兰长林;唐生达;聂阳波;杨宪林;洪博;阮锡超
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兰州大学
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2021-01-21
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2023-05-12
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G06F30/20
- 本发明公开了一种探测器γ响应函数的高斯展宽及解谱方法，首先根据半高宽和能量的关系，采用解析法高斯展宽对某一未展宽能谱中的每一能量点进行高斯展宽，获得特定能量分辨率下的响应函数；其次，利用MATLAB批处理程序依次对不同能量入射光子的未展宽能谱展宽，得到不同能量下响应函数构成的响应矩阵；最后利用加权最小二乘法结合响应矩阵对混合γ能谱求解。本发明利用解析法展宽的响应矩阵可靠，模拟混合谱能量分辨率变化后，得到对应能量分辨率下的响应矩阵求解混合谱的波动较小，准确性高，在对应能量分辨率下加权最小二乘法的求解效果好。采用解析法进行高斯展宽能够根据实际调整展宽参数，为构造对应能量分辨率下的响应矩阵提供更为便利的方式。
- 一种探测器响应函数展宽方法
- [发明专利]中子发生器-CN202210201639.0在审
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宋应民;陈红涛;张凯;赵芳;刘邢宇;龚新宝;阮锡超;聂阳波
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中国原子能科学研究院
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2022-03-02
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2022-06-03
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G21G4/02
- 本发明公开了一种中子发生器，该中子发生器包括壳体、设置在壳体内的离子源以及设置在壳体内的靶组件，靶组件与离子源相对应地设置，离子源通过第一隔板固定在壳体的内壁上，离子源包括第一阴极、第二阴极以及设置在第一阴极和第二阴极之间的阳极，阳极包括至少两个阳极筒，第一阴极和第二阴极分别包括与至少两个阳极筒相对应的至少两个阴极子。通过提供具有包括至少两个阴极子的第一阴极和第二阴极以及相应地包括至少两个阳极筒的阳极的多离子源结构，以使在阴极和阳极之间电离的离子能够以多束的形式引出，增大束流的引出面积，由此降低了单位面积靶膜上的溅射速率，延长靶组件的使用寿命。
- 中子发生器
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