[发明专利]一种半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210784744.1 | 申请日： | 2022-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN114975375A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 汤志林 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明了提供一种半导体器件及其制备方法，包括：衬底、堆叠层及钝化层，所述堆叠层覆盖部分所述衬底，所述钝化层覆盖所述堆叠层及剩余的所述衬底，所述堆叠层包括依次堆叠于所述衬底上的第一介电层、第一极板、第二介电层、第二极板、第三介电层、第三极板、第四介电层及第四极板；其中衬底、所述一介电层及第一极板构成第一电容，第一极板、第二介电层及第二极板构成第二电容，第二极板、第三介电层及第三极板构成第三电容，第三极板、第四介电层及第四极板构成第四电容。本发明中的半导体器件中具有四个电容，通过增加电容的个数，并改变各电容之间的串并联关系，可以在不改变所述半导体器件面积的情况下增加电容值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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