[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底、堆叠层及钝化层，所述堆叠层覆盖部分所述衬底，所述钝化层覆盖所述堆叠层及剩余的所述衬底，所述堆叠层包括依次堆叠于所述衬底上的第一介电层、第一极板、第二介电层、第二极板、第三介电层、第三极板、第四介电层及第四极板；

其中，所述衬底、所述第一介电层及所述第一极板构成第一电容，所述第一极板、所述第二介电层及所述第二极板构成第二电容，所述第二极板、所述第三介电层及所述第三极板构成第三电容，所述第三极板、所述第四介电层及所述第四极板构成第四电容。

2.如权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于，所述衬底包括存储区和电容区，所述堆叠层位于所述电容区，所述存储区设置有栅极结构，所述栅极结构包括两个对称设置的栅极叠层及位于两个所述栅极叠层之间的源线层，所述栅极叠层包括依次堆叠在所述衬底上的遂穿氧化层、浮栅层、栅极介质层及控制栅层；

其中，所述第一极板与所述浮栅层为同一膜层的不同部分，所述第二介电层与所述栅极介质层为同一膜层的不同部分，所述第二极板包括第一部分及覆盖所述第一部分的第二部分，所述第一部分与所述控制栅层为同一膜层的不同部分，所述第二部分与所述源线层为同一膜层的不同部分。

3.如权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于，所述第一介电层及所述第一极板依次堆叠后覆盖部分所述衬底，所述第二介电层及所述第二极板依次堆叠后覆盖所述第一极板，所述第三介电层及所述第三极板依次堆叠后覆盖部分所述第二极板，所述第四介电层及所述第四极板依次堆叠后覆盖部分所述第三极板；

所述半导体器件还包括金属布线层，位于所述钝化层上，且通过电连接件与所述衬底、所述第二极板、所述第三极板及所述第四极板电性连接，并将所述第一电容和所述第二电容串联后与所述第三电容及所述第四电容并联。

4.如权利要求3所述的一种半导体器件，其特征在于，对所述衬底、所述第二极板、所述第三极板及所述第四极板分别施加第一电压、第二电压、第三电压及第四电压，所述第二电压大于所述第一电压及所述第三电压，所述第四电压大于所述第三电压。

5.如权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于，所述第一介电层及所述第一极板依次堆叠后覆盖部分所述衬底，所述第二介电层及所述第二极板依次堆叠后覆盖部分所述第一极板，所述第三介电层及所述第三极板依次堆叠后覆盖部分所述第二极板，所述第四介电层及所述第四极板依次堆叠后覆盖部分所述第三极板；

所述半导体器件还包括金属布线层，位于所述钝化层上，且通过电连接件与所述衬底、所述第一极板、所述第二极板、所述第三极板及所述第四极板电性连接，并将所述第一电容、所述第二电容所述第三电容和所述第四电容并联。

6.如权利要求5所述的一种半导体器件，其特征在于，对所述衬底、所述第一极板、所述第二极板、所述第三极板及所述第四极板分别施加第一电压、第五电压、第二电压、第三电压及第四电压，所述第五电压大于所述第一电压及第二电压，所述第三电压大于所述第四电压及第二电压。

7.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底上形成堆叠层及钝化层，所述堆叠层覆盖部分所述衬底，所述钝化层覆盖所述堆叠层及剩余的所述衬底，所述堆叠层包括依次堆叠在所述衬底上的第一介电层、第一极板、第二介电层、第二极板、第三介电层、第三极板、第四介电层及第四极板；

其中，所述衬底、所述第一介电层及所述第一极板构成第一电容，所述第一极板、所述第一介电层及所述第二极板构成第二电容，所述第二极板、所述第三介电层及所述第三极板构成第三电容，所述第三极板、所述第四介电层及所述第四极板构成第四电容。