[发明专利]TDDB性能提升的金属电容结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202210737831.1 | 申请日： | 2022-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN114823640B | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 廖军;洪明杰 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L49/02;H01G4/33;H01G4/012;H01G4/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 510700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种TDDB性能提升的金属电容结构及其制造方法，所述制造方法利用二次刻蚀工艺，通过先在介质层上形成凹部，选择性增加了电容区外围的介质层厚度，在后续刻蚀工艺基于与凹部的侧壁界定的空间重合的图形区对沉积的底层金属层进行刻蚀，实现所述上电极与位于电容区内介质层的边界自对准，还避免了靠近电容区的介质层边缘底部偏薄的现象，从而在刻蚀制程上改善TDDB性能。本发明的金属电容结构中，上电极耦接在介质层第二主面的凹部内，位于电容区外围的非电容区的介质层表面不低于所述电容区的介质层表面，降低了金属电容中绝缘层的留存较少而影响与层间介质层之间界面的材料致密性，从而改善TDDB性能。 | ||
| 搜索关键词： | tddb 性能 提升 金属 电容 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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