[发明专利]TDDB性能提升的金属电容结构及其制造方法

权利要求书

1.一种TDDB性能提升的金属电容结构的制造方法，其特征在于：所述制造方法包括：

提供一基底，所述基底上设置有底层金属层和介质层，所述底层金属层耦接到所述介质层的第一主面；

于所述介质层与所述第一主面相对的第二主面上界定电容区，包括以下步骤：

在所述介质层的第二主面上进行光刻以定义出第一图形区；

基于所述第一图形区在所述介质层中刻蚀出凹部，所述凹部的底部对应于电容区的绝缘层；

于所述介质层的第二表面上覆盖顶层金属层；

在所述顶层金属层进行光刻以定义出第二图形区，所述第二图形区与所述凹部的内侧壁界定的空间重合；和

基于所述第二图形区对所述顶层金属层进行刻蚀，使所述顶层金属层图形化以形成电容区的上电极，所述上电极与电容区内介质层的边界自对准，所得的非电容区内介质层的厚度不小于所述电容区的绝缘层的厚度。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：通过等离子体刻蚀工艺对所述介质层进行刻蚀以于所述介质层上界定出电容区，所述电容区内各处介质层厚度一致。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：通过等离子体刻蚀工艺基于所述第二图形区对所述顶层金属层进行刻蚀，非电容区内顶层金属层被刻蚀的速率不同，靠近电容区边缘的顶层金属层被刻蚀的速率大于位于非电容区中间区域的顶层金属层被刻蚀的速率。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：用于形成所述介质层的介电材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的任一种。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：在形成所述上电极之后，于所述基底上方沉积层间介质层；在所述电容区上方贯穿所述层间介质层中形成与所述上电极电性连接的第一电连接件，以及在所述非电容区上方贯穿所述层间介质层和所述介质层而形成与所述底层金属层电性连接的第二电连接件。