[发明专利]半导体腔室有效
| 申请号： | 202210736192.7 | 申请日： | 2022-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN115044878B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 高晓丽;傅新宇 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/18;C23C14/16;H01J37/34;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种半导体腔室。该半导体腔室包括：腔室结构、进气结构及驱动装置；腔体内由上至下依次设置靶材、内衬及基座，内衬同轴设置于腔体内，并且内衬的顶端环绕靶材设置，内衬的底端在工艺状态时压抵于基座上；进气组件包括匀流环，匀流环设置于腔体内，并且匀流环的内径大于内衬的外径，匀流环用于向腔体内通入工艺气体；腔体的周壁上开设有抽气口，用于对腔体内进行抽真空；驱动装置设置于腔体外侧，并且与进气组件连接，用于带动匀流环相对于内衬作升降动作，以调节靶材底部的工艺气压。本申请实施例在同一腔体内不仅能实现硅晶圆的钛薄膜沉积，而且还可以实现砷化镓晶圆的钛薄膜沉积，从而提高了适用性及适用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 | ||
【主权项】：
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