[发明专利]一种扇出封装结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210736031.8 | 申请日： | 2022-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN115050729A | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 徐成;孙鹏;曹立强 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/31;H01L21/56;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种扇出封装结构，包括：金属互连结构，其包括多个第一绝缘层和位于多个第一绝缘层中的多个金属重布线层，且多个所述金属重布线层之间电连接；金属层，其布置在所述金属互连结构的侧面，且与最上层的金属重布线层连接；第二绝缘层，其位于所述金属互连结构的正面；凸点下金属化层，其与所述金属重布线层电连接；芯片，其布置在所述凸点下金属化层上；底填胶，其布置在芯片与第二绝缘层之间；塑封层，其将金属互连结构至芯片塑封；以及焊球，其布置在金属互连结构的背面和所述金属层上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210736031.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
