[发明专利]一种扇出封装结构及其形成方法在审
| 申请号: | 202210736031.8 | 申请日: | 2022-06-27 |
| 公开(公告)号: | CN115050729A | 公开(公告)日: | 2022-09-13 |
| 发明(设计)人: | 徐成;孙鹏;曹立强 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L23/31;H01L21/56;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司: | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人: | 张东梅 |
| 地址: | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种扇出封装结构,包括:
金属互连结构,其包括多个第一绝缘层和位于多个第一绝缘层中的多个金属重布线层,且多个所述金属重布线层之间电连接;
金属层,其布置在所述金属互连结构的侧面,且与最上层的金属重布线层连接;
第二绝缘层,其位于所述金属互连结构的正面;
凸点下金属化层,其与所述金属重布线层电连接;
芯片,其布置在所述凸点下金属化层上;
底填胶,其布置在芯片与第二绝缘层之间;
塑封层,其将金属互连结构至芯片塑封;以及
焊球,其布置在金属互连结构的背面和所述金属层上。
2.根据权利要求1所述的扇出封装结构,其特征在于,所述金属层覆盖所述第一绝缘层的边缘。
3.根据权利要求1所述的扇出封装结构,其特征在于,所述第二绝缘层覆盖所述金属互连结构的正面和部分所述金属层。
4.根据权利要求1所述的扇出封装结构,其特征在于,所述芯片的正面具有凸点,通过焊接所述凸点下金属化层与所述凸点将所述芯片倒装在所述凸点下金属化层上。
5.一种扇出封装结构的形成方法,包括:
在载片上布置临时键合胶,在临时键合胶上形成金属互连结构,并在金属互连结构的侧面形成金属层,其中金属互连结构包括多个第一绝缘层和位于多个第一绝缘层中的多个金属重布线层;
形成覆盖金属互连结构的正面和部分金属层或全部金属层的第二绝缘层;
形成穿过第二绝缘层与金属重布线层电连接的凸点下金属化层,然后在凸点下金属化层上形成焊料层;
将芯片布置在凸点下金属化层上,并在芯片与第二绝缘层之间填充底填胶;
将金属互连结构至芯片塑封形成塑封层;
将塑封层减薄露出芯片的背面;
去除载片和临时键合胶,露出金属互连结构的背面和部分金属层;以及
金属互连结构的背面和露出的金属层上布置焊球。
6.根据权利要求5所述的扇出封装结构的形成方法,其特征在于,通过涂覆或沉积在所述临时键合胶上形成所述第一绝缘层,然后刻蚀所述第一绝缘层形成线路图形,在线路图形电镀金属形成所述金属重布线层,多次重复操作得到金属互连结构。
7.根据权利要求6所述的扇出封装结构的形成方法,其特征在于,在制作最上层的金属重布线层的过程中,在电镀线路图形的同时,电镀一层覆盖金属互连结构侧面的金属层,并连接到临时键合胶上。
8.根据权利要求5所述的扇出封装结构的形成方法,其特征在于,通过刻蚀除去位于所述金属重布线层上的所述第二绝缘层形成孔图形,在孔图形电镀金属形成凸点下金属化层。
9.根据权利要求5所述的扇出封装结构的形成方法,其特征在于,所述芯片的正面具有凸点,通过焊接所述凸点下金属化层与所述凸点将所述芯片倒装在所述凸点下金属化层上。
10.根据权利要求5所述的扇出封装结构的形成方法,其特征在于,还包括将塑封晶圆切割,形成单个扇出封装结构。
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