[发明专利]一种扇出封装结构及其形成方法

说明书

本发明涉及一种扇出封装结构，包括：金属互连结构，其包括多个第一绝缘层和位于多个第一绝缘层中的多个金属重布线层，且多个所述金属重布线层之间电连接；金属层，其布置在所述金属互连结构的侧面，且与最上层的金属重布线层连接；第二绝缘层，其位于所述金属互连结构的正面；凸点下金属化层，其与所述金属重布线层电连接；芯片，其布置在所述凸点下金属化层上；底填胶，其布置在芯片与第二绝缘层之间；塑封层，其将金属互连结构至芯片塑封；以及焊球，其布置在金属互连结构的背面和所述金属层上。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种扇出封装结构及其形成方法。

背景技术

随着集成电路技术的快速发展，集成电路封装也再不断的完善。芯片的特征尺寸逐渐小型化以满足摩尔定律的要求，虽然芯片特征尺寸减小，但是芯片内的电子元件数量却不断增加。为了实现芯片功能在产品终端的应用，在封装领域需要封装尺寸紧凑、有更多的输出终端I/O数量的封装技术。扇出封装技术凭借其高密度、轻薄短小、良好的散热性能和良好的高频性能等优点成为未来异质集成最具前景的发展方向之一。扇出封装具有晶圆级封装的特点，且具有兼顾低成本、集成度高等优点。但由于其涉及的材料多、结构复杂，其可靠性也成为制约更广泛其应用的关键技术点之一。

扇出封装结构在可靠性测试的过程中或严苛环境下，可能导致绝缘层出现分层。为了提高扇出型封装结构的可靠性，需要一种新的研究思路和解决方法。

发明内容

本发明的任务是提供一种扇出封装结构及其形成方法，通过在金属互连结构的侧面布置金属层，能够保护绝缘层，减小绝缘层边缘的分层风险，并能阻隔分层扩展，而且布置在该金属层上的焊球能够保护内圈焊球，改善内圈焊球的可靠性。

在本发明的第一方面，针对现有技术中存在的问题，本发明提供一种扇出封装结构来解决，包括：

金属互连结构，其包括多个第一绝缘层和位于多个第一绝缘层中的多个金属重布线层，且多个所述金属重布线层之间电连接；

金属层，其布置在所述金属互连结构的侧面，且与最上层的金属重布线层连接；

第二绝缘层，其位于所述金属互连结构的正面；

凸点下金属化层，其与所述金属重布线层电连接；

芯片，其布置在所述凸点下金属化层上；

底填胶，其布置在芯片与第二绝缘层之间；

塑封层，其将金属互连结构至芯片塑封；以及

焊球，其布置在金属互连结构的背面和所述金属层上。

进一步地，所述金属层覆盖所述第一绝缘层的边缘。

进一步地，所述第二绝缘层覆盖所述金属互连结构的正面和部分所述金属层。

进一步地，所述芯片的正面具有凸点，通过焊接所述凸点下金属化层与所述凸点将所述芯片倒装在所述凸点下金属化层上。

在本发明的第二方面，针对现有技术中存在的问题，本发明提供一种扇出封装结构的形成方法来解决，包括：

在载片上布置临时键合胶，在临时键合胶上形成金属互连结构，并在金属互连结构的侧面形成金属层，其中金属互连结构包括多个第一绝缘层和位于多个第一绝缘层中的多个金属重布线层；

形成覆盖金属互连结构的正面和部分金属层或全部金属层的第二绝缘层；

形成穿过第二绝缘层与金属重布线层电连接的凸点下金属化层，然后在凸点下金属化层上形成焊料层；

将芯片布置在凸点下金属化层上，并在芯片与第二绝缘层之间填充底填胶；

将金属互连结构至芯片塑封形成塑封层；