[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210725163.0 | 申请日： | 2022-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN115274415A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 王晓光 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/78;H01L27/22;H01L27/24 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郭凤杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括：形成晶体管结构，晶体管结构包括晶体管以及第一介质层，晶体管包括半导体柱以及至少部分包围半导体柱的栅极结构，半导体柱顶部形成源区或漏区，第一介质层围绕晶体管，且第一介质层的上表面与半导体柱的顶面齐平；于第一介质层的上表面与半导体柱的顶面形成金属材料层；对金属材料层进行热处理，使其与半导体柱顶部反应而形成金属硅化物；去除未反应的金属材料层；于金属硅化物上形成存储结构。本申请实施例可以有效提高晶体管栅极电流驱动能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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