[发明专利]一种生长高质量碳化硅单晶的坩埚结构及生长方法在审
| 申请号： | 202210724292.8 | 申请日： | 2022-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN115216842A | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 康闻宇;檀鹏;尹君;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 陈淑娴 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种生长高质量碳化硅单晶的坩埚结构及其生长方法，通过在生长坩埚内部、粉料表面上方的位置安装特定结构的石墨导流板，有效减小生长腔室内对流不规则性和物质流通量的不均匀性，从而保证输运到籽晶表面、参与生长的气相物质的均匀性得到提升，进而使得碳化硅单晶生长表面的平整度提高，同时晶体缺陷减少，最终获得高质量和大尺寸的碳化硅单晶。本发明通过在碳化硅生长坩埚中添加石墨导流板装置，优化了碳化硅单晶生长的温场和传质过程，是一种提高碳化硅晶体生长质量的有效方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 质量 碳化硅 坩埚 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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