[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210711030.8 | 申请日： | 2022-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN115274562A | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 吴润平;崔相弦;朴淳秉 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 成亚婷 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。所述方法包括：提供衬底，在衬底上方形成模具叠层结构及存储节点网状结构；模具叠层结构包括沿远离衬底方向交替层叠的模具层和支撑层；模具叠层结构具有网格图案，存储节点网状结构位于所述网格图案内；采用一次构图工艺，将最顶层支撑层、最顶层模具层及次顶层支撑层图形化，暴露出部分次顶层模具层；去除次顶层模具层，暴露出对应位于次顶层模具层下表面的支撑层；自上而下依序将模具叠层结构中剩余的支撑层图形化，并基于图形化后的支撑层去除对应位于其下表面的模具层。本公开可以简化模具叠层结构的去除工艺，抑制关键尺寸偏差，并减少部分支撑层的受损程度，以提高良率及降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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