[发明专利]一种磁铁阵列加工方法有效
| 申请号： | 202210701705.0 | 申请日： | 2022-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN114784180B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 高任峰;朱忻 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/14 | 分类号： | H01L43/14;H01L43/06;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 项凯 |
| 地址： | 215614 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁铁阵列加工方法，包括：在晶圆掩膜版上生成第一隔离层；在第一隔离层上涂覆第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行光刻，得到用于进行磁铁颗粒定位的图案；对图案暴露出的第一隔离层刻蚀至晶圆掩膜版；对暴露出晶圆掩膜版的位置进行深刻，获得带有刻槽的晶圆掩膜版；将磁铁颗粒填充到每个刻槽中，得到带有磁铁阵列的晶圆。本发明通过采用半导体工艺，光刻形成用于进行磁铁颗粒定位的凹槽，再利用高纵深比深刻实现容纳磁铁颗粒的刻槽的刻蚀，其无论是磁铁颗粒定位和间距以及深度均能够达到微米级别，提高了磁铁阵列中磁铁颗粒定位加工精度，进而能够提高相应的霍尔传感器的测量精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁铁 阵列 加工 方法 | ||
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- 本发明提供了一种气体团簇离子束平坦化磁性隧道结底电极的方法，采用气体团簇离子束对磁性隧道结底电极进行平坦化，使底电极的平均表面粗糙度达到沉积磁性隧道结薄膜的要求。由于低能气体团簇离子束的横向溅射效应，能够有效的消除局部表面不平整，通过改变入射剂量，辐照角度和/或添加有机醇、酸或醛等以获得最佳的表面粗糙度，提升了磁性隧道结的成膜质量和磁性/电学性能，有利于MRAM回路良率的提升；由于GCIB可以和PVD可以集成到一个系统中，降低工艺的复杂性，同时，避免了由于添加CMP及其后清洗工艺而带来的污染，非常适合MRAM的大规划生产。
- 一种基于半导体二维电子气进行弱磁场空间成像的方法-202011054273.6
- 赵建华;王海龙;魏其其 - 中国科学院半导体研究所
- 2020-09-29 - 2021-01-05 - H01L43/14
- 本发明提供一种基于半导体二维电子气进行弱磁场空间成像的方法，包括：S1，分子束外延生长二维电子气半导体异质结；S2，微纳加工二维电子气半导体异质结，得到特征尺寸在10nm～1mm范围内的分立霍尔器件；S3，集成分立霍尔器件，得到线阵或面阵弱磁探测器，实现对弱磁场的空间成像。本发明利用半导体二维电子气室温高载流子迁移率的特点，通过霍尔效应的原理进行高精度弱磁探测与成像，可用于心磁图和脑磁图等人体弱磁探测及成像，具有便携式、低成本、高空间和时间分辨率等优点。
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