[发明专利]半导体结构及其制备方法

摘要

本公开实施例涉及一种半导体结构及制备方法。制备方法包括：提供衬底；于衬底上形成位线接触结构及位线；位线接触结构位于位线与衬底之间；对位线接触结构下部的侧壁进行离子掺杂处理，以形成掺杂区；对掺杂区进行氮化处理，以将掺杂区转化为氮化结构。对于位线接触结构下部侧壁容易出现倾角的问题，采用离子掺杂处理，在位线接触结构下部的侧壁形成掺杂区，在后续氮化处理时，掺杂区的位线接触结构容易被氮化，掺杂区以外的位线接触结构不易被氮化，这样可以对位线接触结构进行选择性修整，消除位线接触结构的下部倾角，提高位线线宽的一致性，进而可以对位线线宽的缩小提供基础。