[发明专利]自组装InGaN量子点及其制备方法在审
| 申请号： | 202210672225.6 | 申请日： | 2022-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN115020557A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 杨文献;陆书龙;张雪;金山;邱海兵;魏铁石;顾颖;张鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00;H01S5/343 |
| 代理公司： | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人： | 周仁青 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自组装InGaN量子点及其制备方法，所述制备方法包括：S1、基于分子束外延工艺，持续通入In源、Ga源及N源，在衬底上外延生长InGaN浸润层；S2、基于分子束外延工艺，持续通入In源及Ga源，周期性通入和/或中断N源，在InGaN浸润层上进行InGaN量子点的成核及生长。本发明采用两步生长法实现InGaN量子点的自组装生长，相对于S‑K模式直接生长或中断生长法，本发明对InGaN量子点生长动力学过程有更强的调控能力，一方面有利于促进In原子并入，拓展发光波长，另一方面可以改善量子点的微观形貌，提高其密度，以及尺寸和分布的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 组装 ingan 量子 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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