[发明专利]自组装InGaN量子点及其制备方法在审
| 申请号： | 202210672225.6 | 申请日： | 2022-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN115020557A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 杨文献;陆书龙;张雪;金山;邱海兵;魏铁石;顾颖;张鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00;H01S5/343 |
| 代理公司： | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人： | 周仁青 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 组装 ingan 量子 及其 制备 方法 | ||
1.一种自组装InGaN量子点的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
S1、基于分子束外延工艺，持续通入In源、Ga源及N源，在衬底上外延生长InGaN浸润层；
S2、基于分子束外延工艺，持续通入In源及Ga源，周期性通入和/或中断N源，在InGaN浸润层上进行InGaN量子点的成核及生长。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1和/或步骤S2中，In源的束流等效压强为1×109～9×109Torr，Ga源的束流等效压强为1×109～9×109Torr，N源的流量为0.5～3.0sccm，N源的等离子激发功率为150～500W。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1和/或步骤S2中的外延生长温度为580～650℃。
4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中：
N源的通入时间为10～40s；和/或，
中断时间为5～30s；和/或，
通入和中断的周期数为5～15。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述In源和/或Ga源为单质源；和/或，
所述N源为氨气或等离子氮。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石GaN模板、GaN同质衬底、Si衬底、SiC衬底中的任意一种。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1前还包括：
基于分子束外延工艺，在衬底上外延生长缓冲层。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述缓冲层为GaN缓冲层；和/或，
所述缓冲层的生长温度为680～780℃；和/或，
所述缓冲层的厚度为30～100nm。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
采用反射式高能电子衍射仪对步骤S1和/或步骤S2进行原位监控。
10.一种自组装InGaN量子点，其特征在于，所述自组装InGaN量子点通过权利要求1～9中任一项所述的制备方法制备而得。
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