[发明专利]具有InGaN层的半导体器件有效
| 申请号： | 201010508579.4 | 申请日： | 2010-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN102088163A | 公开（公告）日： | 2011-06-08 |
| 发明（设计）人： | F·勒泰特 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及具有InGaN层的半导体器件。本发明还涉及一种制造垂直光电结构的方法，包括以下步骤：a)提供第一衬底和形成在第一衬底上的InGaN晶种层的堆叠；b)在InGaN晶种层上生长InGaN层，以便获得衬底上InGaN结构；c)形成覆盖InGaN层的表面的第一反光镜层；d)分离第一衬底；以及e)形成覆盖InGaN的相对表面的第二反光镜层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 ingan 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种制造垂直光电结构的方法，包括以下步骤：a)提供第一衬底(1)和形成在所述第一衬底(1)上的InGaN晶种层(3)的堆叠；b)在所述InGaN晶种层(3)上生长InGaN层(4)，以便获得衬底上InGaN结构；c)形成覆盖InGaN层(4)的表面的第一反光镜层(6)；d)分离第一衬底(1)；以及e)形成覆盖InGaN(4)的相对表面的第二反光镜层(7)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司，未经S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010508579.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于鉴定体液中的分析物的系统
- 下一篇：非水电解质二次电池和隔膜
- 同类专利
- 垂直腔面发射激光器及其制作方法-201910724237.7
- 刘安金;杨礴 - 中国科学院半导体研究所
- 2019-08-06 - 2019-11-08 - H01S5/183
- 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，该垂直腔面发射激光器包括衬底，缓冲层，下DBR，有源层，电流限制孔径，电流扩散层，非掺杂悬浮型HCG层，n侧电极和p侧电极。本发明减小了垂直腔面发射激光器的材料外延难度，提高了材料生长的普适性，同时降低了自由载流子吸收，提高了器件输出效率，还具有偏振选择和单模输出特性，且能扩展成可调谐垂直腔面发射激光器。本发明的垂直腔面发射激光器可应用于光通讯、光互连、光学传感、医疗成像等领域。
- 晶体管垂直腔面发射激光器-201920754724.3
- 向宇 - 苏州长瑞光电有限公司
- 2019-05-24 - 2019-11-08 - H01S5/183
- 本实用新型公开了一种晶体管垂直腔面发射激光器，包括按照外延生长的次序依次排布的衬底、下端面分布式布拉格反射镜、集电区、基区、发射区、上端面分布式布拉格反射镜，以及分别与集电区、基区、发射区导通的电极：集电极、基极、发射极；所述基区中设置有量子阱有源区；在基区、发射区、上端面分布式布拉格反射镜上除电极以外的表面区域均包覆有Al2O3保护膜，并且所述上端面分布式布拉格反射镜是由Al2O3膜结构与至少一种其它电介质材料膜结构呈周期性排布所构成的亚波长高对比度光栅。本实用新型在大幅提高T‑VCSEL器件的可靠性的同时，还降低了器件制造的工艺难度。
- 具有可寻址孔隙的阵列的光学装置和系统-201910294740.3
- 达·库·王;钟-伊·苏 - 安华高科技股份有限公司
- 2019-04-12 - 2019-11-05 - H01S5/183
- 在本文中描绘和描述了具有可寻址孔隙的阵列的光学装置和系统。所公开的光学系统的一个实例包含：半导体层；第一金属条，其定位成邻近于所述半导体层的第一表面；第二金属条，其定位成邻近于与所述半导体层的所述第一表面相对的所述半导体层的第二表面；以及第三金属条，其定位成邻近于所述半导体层的所述第二表面。在一个实例中，所述第一金属条包含定位成邻近于所述半导体层中的第一有源区的第一孔隙和定位成邻近于所述半导体层中的第二有源区的第二孔隙。接近于所述第一有源区且不接近于所述第二有源区所述第二金属条覆盖所述第一金属条并且所述第三金属条与所述第二金属条基本上平行地定向。
- 垂直腔面发射激光器封装结构-201920512144.3
- 刘勇 - 深圳市迈科光电有限公司
- 2019-04-15 - 2019-10-29 - H01S5/183
- 本实用新型实施例涉及一种垂直腔面发射激光器封装结构，包括基板、贴于基板一侧表面的VCSEL芯片及罩设于所述VCSEL芯片外侧的封装支架，所述基板为氮化铝陶瓷基板，氮化铝陶瓷基板表面还成型有金属层，在所述金属层形成有线路，VCSEL芯片通过纳米银胶层粘贴于氮化铝陶瓷基板的表面并通过绑定线与线路导通连接，封装支架上还组装有正对VCSEL芯片的出光面以对VCSEL芯片发射出的激光光束进行扩散处理的扩散片。本实用新型实施例以氮化铝陶瓷基板承载封装VCSEL芯片，可有效提升导热性能，使VCSEL芯片处于更合适的工作温度而发挥出更好的面出光工作效能，扩散片对VCSEL芯片的出射光线进行有效扩散，使最后射出的激光分布更为均匀，免受外界因素干扰，明显提升了光辐射能量。
- 量子级联激光器-201910256638.4
- 桥本顺一 - 住友电气工业株式会社
- 2019-04-01 - 2019-10-18 - H01S5/183
- 一种量子级联激光器，包括：激光器结构，包括第一端面和第二端面、半导体台面和支撑基底，第一端面和第二端面在第一轴的方向上排列，半导体台面具有布置在第一端面和第二端面之间的第一台面部分和第二台面部分；以及，半导体台面上的第一电极。半导体台面在第一台面部分和第二台面部分之间的边界处具有第一台面宽度，以及具有在第二台面部分的端部处具有小于第一台面宽度的第二台面宽度，并且在从边界到第二端面的方向上具有从第一台面宽度变化的宽度。第二台面部分包括高比电阻区，该高比电阻区具有比包括在第一台面部分和第二台面部分中的导电半导体区的比电阻高的比电阻。
- 一种垂直面射型的激光结构-201920729861.1
- 彭钰仁 - 厦门乾照半导体科技有限公司
- 2019-05-21 - 2019-10-18 - H01S5/183
- 本实用新型提供了一种垂直面射型的激光结构，该垂直面射型的激光结构中，将所述氧化层的未氧化区域、所述P型欧姆接触层和所述凹槽结构，在垂直于所述衬底的方向上，同心设置，并且，所述凹槽结构的宽度大于所述未氧化区域的宽度，所述未氧化区域的宽度大于所述P型欧姆接触层的宽度。该P型欧姆接触层的尺寸定义了增益限制尺寸，氧化层的未氧化区域的尺寸定义了光学限制尺寸，进而实现了将增益限制和光学限制分开独立控制的高功率单模激光结构。
- 具有外延嵌入性自对准电和光学限制的半导体光源-201780081435.5
- 阿布岛拉·德米尔 - 阿布岛拉·德米尔
- 2017-12-29 - 2019-10-15 - H01S5/183
- 本发明涉及一种获得表面发射半导体光源的方法，其同时提供电和光学限制，并且使用嵌入结构以通过光刻工艺确定横向尺寸。
- 具有到达邻近发射器间共享的欧姆金属层的共享过孔的发射器阵列-201910238980.1
- A.袁;A.V.巴威 - 朗美通经营有限责任公司
- 2019-03-27 - 2019-10-11 - H01S5/183
- 一种发射器阵列可以包括：多个发射器，包括两个邻近发射器。发射器阵列可以包括具有两个邻近发射器的多个发射器。欧姆金属层可以包括被两个邻近发射器共享且定位在这两个邻近发射器之间的部分。发射器阵列可以包括在欧姆金属层上方的保护层。发射器阵列可以包括穿过保护层到达所述部分的过孔。过孔被两个邻近发射器共享且位于这两个邻近发射器之间。
- 独立可寻址液晶调谐垂直腔面发射激光器阵列及制备方法-201710548931.9
- 关宝璐;李鹏涛;赵永东;刘储;李保志;杨嘉炜;刘振扬;郭燕玲;梁津;胡丕丽 - 北京工业大学
- 2017-07-07 - 2019-10-08 - H01S5/183
- 本发明公开了独立可寻址液晶调谐垂直腔面发射激光器阵列及制备方法，其由垂直腔面发射激光器half‑VCSEL、液晶层和上DBR组成。器件结构自下而上依次为：激光器阵列背面电极(1)、GaAs衬底(2)、下DBR(3)、有源区(4)、氧化限制层(5)、SiO2钝化层(6)、激光器阵列注入电极(同时也是液晶调谐负极)(7)、间隔层(8)、液晶层(9)、上DBR(10)、玻璃基板(11)、ITO导电薄膜(12)和液晶调谐正极(13)。本发明使波长可调谐垂直腔面发射激光器阵列在压窄线宽的同时实现多波长激射，结合液晶的双折射率特性实现波长连续可调，通过激光器阵列电极的独立可寻址特点实现不同波长单管的定位与单独调制。
- 基于亚波长光栅波导的高光束质量垂直腔面激光器阵列与制备方法-201910563799.8
- 关宝璐;黎豪 - 北京工业大学
- 2019-06-26 - 2019-09-27 - H01S5/183
- 基于亚波长光栅波导的高光束质量垂直腔面激光器阵列与制备方法，属于垂直腔面激光器领域。正电极(1)、亚波长光栅(3)、光波导(2)、上布拉格反射镜(5)、离子注入电流限制层(4)、量子阱有源区(9)、下布拉格反射镜(6)、有源区缓冲层(7)、衬底(8)、负电极(10)构成；在VCSEL阵列出光口制作一层亚波长光栅，并且在光栅下方制备了光波导层，或将光栅嵌入到光波导层，利用亚波长光栅将光子部分导入光波导层，利用光波导层对阵列的各个器件进行耦合，保证大功率输出功率的同时获得较高光束质量。
- 激光发生器、结构光投射器、图像获取结构和电子装置-201810200490.8
- 张学勇 - OPPO广东移动通信有限公司
- 2018-03-12 - 2019-09-27 - H01S5/183
- 本发明公开了一种激光发生器。激光发生器包括衬底和发光元件阵列。发光元件阵列设置在衬底上。发光元件阵列包括基础阵列和附加阵列。基础阵列形成基础区域，附加阵列形成附加区域。基础阵列包括至少三个基础子阵列，每个基础子阵列形成基础子区域。基础区域包括公共区域，公共区域至少位于三个基础子区域上，公共区域位于附加区域内。本发明还公开了一种结构光投射器、图像获取结构和电子装置。公共区域至少位于三个基础子区域上，且公共区域位于附加区域内，使得附加区域与至少三个基础子区域相交，也就是附加阵列与至少三个基础子阵列交叠，以形成更多种类的发光元件的排列方式，提高了发光元件阵列的局部不相关性。
- 一种垂直面射型的激光结构-201920625828.4
- 彭钰仁 - 厦门乾照半导体科技有限公司
- 2019-05-05 - 2019-09-27 - H01S5/183
- 本实用新型提供了一种垂直面射型的激光结构，该垂直面射型的激光结构中，其出光方向为P面出光，散热方向与出光方向相反，以使散热不再通过衬底结构，有助于高效率散热；并且，P电极和N电极位于同侧，通过设置N型焊垫和所述P型焊垫，不再需要电极打线结构，进而极大程度的缩小了封装体积。
- 具有高介电常数限制孔的VCSEL器件及其制备方法-201910640780.9
- 张勇辉;杭升;张紫辉 - 河北工业大学
- 2019-07-16 - 2019-09-24 - H01S5/183
- 本发明为一种具有高介电常数电流限制孔的VCSEL器件及其制备方法。该器件的外延结构沿着外延生长方向依次包括衬底、缓冲层、氮化物外延DBR和N‑型半导体传输层；其中，N‑型半导体传输层分为两部分，下层完全覆盖氮化物外延DBR；所述的N‑型半导体传输层的上层依次为多量子阱层、P‑型电流阻挡层、P‑型半导体传输层；P‑型重掺杂半导体传输层；P‑型重掺杂半导体传输层上表面的外侧为环形的高介电常数绝缘层，其材质为非掺杂的HfO2或Ta2O5。本发明中的具有高介电常数电流限制孔的器件相较于隧穿结的器件的制作，会降低近40％的工艺时间，发光阈值大约会降低0.5mA,并且在80mA下的输出功率，相较于常规器件提高了14.3％。
- 一种垂直腔面发射激光器及其制作方法-201710509464.9
- 范鑫烨;姜夕梅;白成林;房文敬;牛慧娟 - 聊城大学
- 2017-06-28 - 2019-09-24 - H01S5/183
- 本发明公开一种垂直腔面发射激光器及其制作方法。其中，所述激光器包括：依次层叠的N电极、衬底、第一缓冲层、第一分布布拉格反射镜组、有源层、第二分布布拉格反射镜组和第二缓冲层，对第二缓冲层、第二分布布拉格反射镜组和有源层进行刻蚀形成的圆柱形台体以及围绕所述圆柱形台体的第一分布布拉格反射镜组的部分表面，在圆柱形台体的侧壁和部分表面上形成的掩膜，和位于第二缓冲层上的P电极；本发明提供的垂直腔面发射激光器及其制作方法，通过有源层的量子阱结构、第一分布布拉格反射镜组和第二分布布拉格反射镜组，实现超窄线宽和平顶陡边光谱响应，能够降低VCSEL的阈值电流，提高光电转换效率。
- 一种底部发射型VCSEL芯片及其制造方法-201910527624.1
- 窦志珍;曹广亮;刘留;苏小平;韩春霞;林新茗 - 威科赛乐微电子股份有限公司
- 2019-06-18 - 2019-09-20 - H01S5/183
- 本发明涉及激光芯片技术领域，尤其涉及一种底部发射型VCSEL芯片及其制造方法，VCSEL芯片包括GaAs衬底和位于GaAs衬底一侧的外延结构，GaAs衬底底部蚀刻出出光孔，GaAs衬底上于出光孔外围蒸镀有N‑contact层，外延结构包括N‑DBR结构、氧化层、量子阱、P‑DBR结构和欧姆接触层，欧姆接触层、P‑DBR结构、量子阱和AlGaAs被蚀刻至N‑DBR结构上表面形成台面，欧姆接触层与出光孔位置相对应，欧姆接触层上生长有ODR层，ODR层上蒸镀有镜面层，台面向上至镜面层上覆盖有SiNx层，SiNx层在镜面层上于出光孔对应位置蚀刻有接触孔，SiNx层上包覆有P‑contact层，P‑contact层填充接触孔。本发明的VCSEL芯片的结构设计不影响光致发光测试，提高了测试效率，减少了后续废品率，减少了原材料的浪费。
- 应用于芯片级原子钟与原子磁力计的干涉型VCSEL激光器-201910537715.3
- 陈景标;常鹏媛 - 温州激光与光电子协同创新中心
- 2019-06-20 - 2019-09-20 - H01S5/183
- 本发明提供一种应用于芯片级原子钟与原子磁力计的干涉型VCSEL激光器，在输出光端面设置滤光/反馈薄膜组和部分反射膜，滤光/反馈薄膜组包括多层高折射率材料‑低折射率材料薄膜，VCSEL激光芯片输出的相干光束经滤光/反馈薄膜组选频率得到单波长光束，然后被部分反射膜部分反射，反射光在由输出光端面与滤光/反馈薄膜组构成的谐振腔中振荡、放大至超过振荡阈值。本发明将VCSEL激光芯片和多层兼具滤光和外腔反馈功能于一体的滤光/反馈薄膜组集成一体化，获得一种小型集成化、窄线宽的激光器，具有结构简单、生产低成本、高抗干扰性、窄线宽特性，因此适用于芯片级原子光学器件并实现批量生产。
- 一种VCSEL激光器及其制作方法-201910644334.5
- 林志伟;陈凯轩;蔡建九;彭钰仁;杜石磊 - 厦门乾照半导体科技有限公司
- 2019-07-17 - 2019-09-13 - H01S5/183
- 本发明提供一种VCSEL激光器及其制作方法，通过设置绝缘介质层、第一氧化层和第二氧化层对电流进行限制，被绝缘介质层环绕的透明导电层和第一欧姆接触层构成第一导电通道，第一氧化层具有第二导电通道，第二氧化层具有第三导电通道，且出光孔、第三导电通道、第二导电通道和第一导电通道在水平方向的尺寸依次减小，从而能够有效地将电流导向由第一导电通道、第二导电通道和第三导电通道限定的区域，提高激光效率。
- 能够发射涡旋空心光的垂直腔面发射半导体激光器-201811252788.X
- 晏长岭;刘云;冯源;杨静航;逄超 - 长春理工大学
- 2018-10-25 - 2019-09-13 - H01S5/183
- 能够发射涡旋空心光的垂直腔面发射半导体激光器属于半导体激光器技术领域。现有技术采用固体激光器输出涡旋空心光，器件体积较大，腔内相位转换装置结构复杂。本发明自上而下依次是上电极、欧姆接触层、上分布布拉格反射镜、氧化物限制层、有源增益区、下分布布拉格反射镜、衬底、下电极；欧姆接触层、上分布布拉格反射镜以及有源增益区层叠在一起构成一个空心圆柱；在所述空心圆柱中有高阻区；其特征在于，上电极位于欧姆接触层上表面边缘的局部区域，下电极位于衬底下表面边缘的局部区域，上电极的几何中心、下电极的几何中心的连线与激光器轴线相交，上电极的圆心角θ′、下电极的圆心角θ″均在30°～90°范围内。
- GaAs衬底的分布布拉格反射镜的制备方法-201910471860.6
- 赵勇明;杨国文;张艳春;赵卫东 - 度亘激光技术（苏州）有限公司
- 2019-05-31 - 2019-09-10 - H01S5/183
- 本发明涉及半导体激光器技术领域，具体公开一种分布布拉格反射镜的制备方法及垂直腔面发射激光器，其中，方法包括：提供GaAs衬底；依次在所述衬底上交替生长第一折射率层、第一应变补偿层、第二折射率层以及所述第一应变补偿层；其中，所述第一应变补偿层的应变类型与所述第一折射率层以及所述第二折射率层的应变类型相反。本发明采用应力补偿的方式消除因晶格失配产生的应力，实现无应变DBR的生长，避免出现晶片翘曲的问题。
- 垂直腔面发射激光器及其功率调节方法-201910608668.7
- 郭海侠;张鹏;向宇 - 苏州长瑞光电有限公司
- 2019-07-08 - 2019-09-06 - H01S5/183
- 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器(VCSEL)。所述垂直腔面发射激光器包括作为光出射端面的上端面分布式布拉格反射镜，在所述上端面分布式布拉格反射镜上表面设置有由自下而上的下Al2O3层、SiNx层、上Al2O3层所组成的复合膜结构，所述下Al2O3层的物理厚度不大于5nm，SiNx层的光学厚度为1/4λ，上Al2O3层的物理厚度不小于10nm。本发明还公开了上述垂直腔面发射激光器的功率调节方法。相比现有技术，本发明可在优化非气密封装VCSEL的可靠性及寿命同时，还可以较低的工艺难度和成本实现VCSEL发射功率的大范围调节。
- 高复合效率的VCSEL芯片及其制造方法-201910523156.0
- 窦志珍;曹广亮;刘留;苏小平 - 威科赛乐微电子股份有限公司
- 2019-06-17 - 2019-09-03 - H01S5/183
- 本发明涉及激光芯片技术领域，尤其涉及高复合效率的VCSEL芯片及其制造方法，VCSEL芯片包括衬底、外延层和N‑contact，外延层包括N‑DBR、量子阱、氧化层和P‑DBR，P‑DBR、氧化层、量子阱被蚀刻至N‑DBR表面形成台面，量子阱包括多对量子阱复合层，量子阱复合层包括重叠生长的AlxGaAs势垒、InGaAs势阱和AlxGaAs势垒，P‑DBR上划分为中心区域、中间区域和边缘区域，中心区域为出光孔，P‑DBR上于中心区域对应位置生长有第一SiNx层，P‑DBR上于中间区域对应位置蒸镀有P‑contact，P‑DBR上于边缘区域对应位置生长有第二SiNx层。本发明的VCSEL芯片中的量子阱中的势垒具有较高的禁带宽度，容易达到晶格匹配，使得更多的电子被集中束缚在量子阱中，增大激发概率，提高复合效率，从而达到更高效率的受激辐射。
- 制作垂直腔面发射激光器的方法及垂直腔面发射激光器-201810587771.3
- 王璐;王珈;吴德馨 - 北京嘉圣光通科技有限公司
- 2018-06-08 - 2019-09-03 - H01S5/183
- 本申请提供一种制作VCSEL的方法及VCSEL。包括：在衬底上表面外延生长缓冲层；在缓冲层上外延生长第一DBR；在第一DBR上外延生长第一限制层；在第一限制层上外延生长量子阱有源层；在量子阱有源层上外延生长第二限制层；在第二限制层上外延生长第二DBR；在第二DBR上外延生长复合接触层；在复合接触层上淀积绝缘介质掩模层；在绝缘介质掩模层上光刻台面图案并刻蚀形成台面；淀积绝缘介质掩模层并刻蚀，形成侧墙；采用各向同性进行部分侧向腐蚀，形成通光孔；应力消除以及平坦化处理；在台面上表面制作第一电极接触层；对衬底背面进行减薄处理；在减薄后的背面制作第二电极接触层。如此，可提升VCSEL的合格率，降低生产VCSEL的成本。
- 一种紧凑型宽调谐腔内参量振荡频率转换激光器-201822256865.0
- 周建平 - 南京钻石激光科技有限公司
- 2018-12-29 - 2019-09-03 - H01S5/183
- 本实用新型提出了一种紧凑型宽调谐腔内参量振荡频率转换激光器，包括：第一谐振腔、第二谐振腔、参量放大晶体、基波增益介质，其中，第一谐振腔与基波增益介质相对设置，基波通过基波增益介质进行增益放大后入射到第一谐振腔上；第二谐振腔与参量放大晶体相对设置，在参量放大晶体的至少一个端面为布鲁斯特入射角界面设计，参量放大晶体将基波转换为信号波和闲置波,参量放大晶体界面的布鲁斯特入射角界面将参量振荡产生的信号波或闲置波或二者折射出激光谐振腔体。本实用新型减少了至少一个光学镀膜界面，保证调谐波长时腔体一直保持准直的优点，使得实现腔内参量振荡产生信号的可调谐范围增宽，并且结构简单、实用、并降低了生产成本。
- 制备分布布拉格反射镜的方法及垂直腔面发射激光器-201910471488.9
- 赵勇明;杨国文;张艳春;赵卫东 - 度亘激光技术（苏州）有限公司
- 2019-05-31 - 2019-08-30 - H01S5/183
- 本发明涉及半导体激光器技术领域，具体公开一种分布布拉格反射镜的制备方法及垂直腔面发射激光器，其中，方法包括：GaAs衬底；依次在所述衬底上交替生长第一折射率层以及第二折射率层；其中，所述第一折射率层的晶格常数大于或小于所述衬底的晶格常数，且所述第二折射率层的晶格常数小于或大于所述衬底的晶格常数。本发明通过调整折射率层的材质使得位于衬底的晶格常数位于两层折射率层的晶格常数之间，使得生长在衬底上的第一折射率层以及第二折射率层所受的应变类型不同，因此可以采用应变补偿的方式消除因晶格失配产生的应力，实现无应变分布布拉格反射镜的生长，避免大尺寸外延片翘曲的问题。
- 一种VCSEL阵列结构-201920262266.1
- 彭钰仁;贾钊;赵炆兼;郭冠军;曹广亮;赵丽 - 厦门乾照半导体科技有限公司
- 2019-03-01 - 2019-08-30 - H01S5/183
- 本实用新型提供一种VCSEL阵列结构，包括依次层叠设置的衬底、第一DBR层、有源层、氧化层、蚀刻截止层、第二DBR层、欧姆接触层和电极，还包括至少一个沟槽，所述沟槽自所述电极延伸至所述第二DBR层，至少一个的所述沟槽隔离出两个以上的裸露单元，每个所述裸露单元包括依次层叠设置的所述第二DBR层、欧姆接触层和电极，还包括至少一个与所述沟槽连通的氧化孔，所述氧化孔自所述沟槽延伸至所述蚀刻截止层以暴露出所述氧化层。通过设置蚀刻截止层将蚀刻有效截止在氧化层，既确保了氧化充分，又有效避免了因有源层外露导致的失效、老化等问题。
- 一种低氧化应力的VCSEL芯片-201920262354.1
- 贾钊;赵炆兼;郭冠军;曹广亮;赵丽 - 厦门乾照半导体科技有限公司
- 2019-03-01 - 2019-08-30 - H01S5/183
- 本实用新型提供一种低氧化应力的VCSEL芯片，芯片包括依次层叠设置的衬底、第一DBR层、有源层、氧化限制层、第二DBR层、欧姆接触层和电极，所述氧化限制层包括依次层叠设置的Al0.9Ga0.1As外延层、AlXGa1‑XAs外延层和Al0.98Ga0.02As外延层，所述Al0.9Ga0.1As外延层靠近所述有源层设置，所述Al0.98Ga0.02As外延层靠近所述第二DBR层设置，其中X为Al元素的组分，X大于等于0且小于0.9。本实用新型采用多层的氧化限制层结构，氧化应力得到平衡，从而降低了氧化应力，进而降低了外延由于应力导致的脱落风险。
- 一种高密度VCSEL阵列结构-201920262683.6
- 彭钰仁;贾钊;赵炆兼 - 厦门乾照半导体科技有限公司
- 2019-03-01 - 2019-08-30 - H01S5/183
- 本实用新型提供一种高密度VCSEL阵列结构，包括依次层叠设置的衬底、第一DBR层、有源层、氧化层、第二DBR层和欧姆接触层，所述欧姆接触层远离所述第二DBR层的表面设有多个相互独立的出光区域，各所述出光区域的周围分别设有由所述欧姆接触层延伸至所述有源层的氧化孔，所述欧姆接触层远离所述第二DBR层的表面于除所述出光区域以外的区域均设有电极，相邻两个所述出光区域通过所述电极连通。有效地增加了欧姆接触的面积，减少了芯片接触电阻的升高，避免了电压上升、光电转换效率下降等问题。
- 高对比度光栅光电子器件-201380080621.9
- S·V·马塔伊;迈克尔·瑞恩·泰·谭;戴维·A·法塔勒;韦恩·V·瑟林 - 慧与发展有限责任合伙企业
- 2013-10-29 - 2019-08-30 - H01S5/183
- 一种高对比度光栅光电子设备，包括：位于基板前表面处的光电子装置。该光电子装置通过该基板的与前表面相对的后表面来发射光和/或检测光。高对比度光栅(HCG)透镜临近于该基板的后表面并且通过间隔物与后表面间隔开。该间隔物包括晶片键合基板和/或腔。所述HCG透镜聚焦所述光。
- 用于面发射激光器的光栅结构-201910110301.2
- 乔鹏飞;C-Y.卢 - 朗美通经营有限责任公司
- 2019-02-11 - 2019-08-23 - H01S5/183
- 一种垂直腔面发射激光器(即，VCSEL)可包括：形成具有选定的周期、深度和占空因数的光栅结构的至少一个层，其中，所述光栅结构的周期、深度和占空因数配置为实现：大于VCSEL的阈值效率水平，小于由与光栅结构相关的高阶衍射所带来的功率损失引起的阈值电流增加，以及大于VCSEL的发射波长处的阈值偏振选择。本发明还涉及一种垂直腔面发射激光器的高效混合光栅以及一种光学系统。
- 一种分布布拉格反射镜的制备方法及垂直腔面发射激光器-201910471847.0
- 赵勇明;杨国文;张艳春;赵卫东 - 度亘激光技术（苏州）有限公司
- 2019-05-31 - 2019-08-23 - H01S5/183
- 本发明涉及半导体激光器技术领域，具体公开一种分布布拉格反射镜的制备方法及垂直腔面发射激光器，其中，方法包括：衬底；依次在所述衬底上交替生长分布布拉格反射镜的第一折射率层以及第二折射率层；其中，所述衬底的晶格常数位于所述第一折射率层的晶格常数与所述第二折射率层的晶格常数之间。本发明通过采用晶格常数位于第一折射率层与第二折射率层的晶格常数之间的衬底，使得生长在衬底上的第一折射率层以及第二折射率层的应力相互抵消，即采用应变补偿的方式消除因晶格失配产生的应力，实现无应变分布布拉格反射镜的生长，避免外延片出现翘曲的问题。
- 专利分类
