[发明专利]绝缘体上覆半导体晶圆、含晶体管的半导体结构及其形成与操作方法

摘要

本发明涉及绝缘体上覆半导体晶圆、含晶体管的半导体结构及其形成与操作方法，绝缘体上覆半导体晶圆包括支撑基材、位在该支撑基材上方的电性绝缘层、及位在该电性绝缘层上方的半导体层。半导体结构包括晶体管。该晶体管包括在支撑基材上方含有压电材料的电性绝缘层、位在该电性绝缘层上方的半导体层、位在该半导体层中的源极区、通道区与漏极区、位在该通道区上方的栅极结构、第一电极、以及第二电极。该第一电极与该第二电极设于该电性绝缘层的侧向对立侧。该第一电极及第二电极电性绝缘该半导体层，并且经组配用于对该电性绝缘层的该压电材料施加电压。该压电材料回应于对其施加的该电压而至少在该通道区中产生应变。