[发明专利]一种二氧化硅及其低温制备方法在审
| 申请号： | 202210655839.3 | 申请日： | 2022-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN115020221A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 李媛媛 | 申请（专利权）人： | 广东越海集成技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01J37/32;H01L23/29 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 陈小龙 |
| 地址： | 510000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种二氧化硅及其低温制备方法。本发明的二氧化硅的低温制备方法，包括如下步骤：1)将基底置于反应室加热；2)向反应室通入反应气体，通过等离子体增强化学气相沉积法在所述基底上进行沉积得到二氧化硅薄膜；其中，所述反应气体包括硅源、硅源载气和氧源；所述等离子体增强化学气相沉积法的沉积温度为120‑180℃。本发明的低温制备方法，降低了工艺控制难度，沉积的二氧化硅薄膜具有更好的沉积速率和更好的均匀性，膜层性质更稳定，具有更好的应力稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二氧化硅 及其 低温 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东越海集成技术有限公司，未经广东越海集成技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210655839.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种智能冰箱和保鲜盒
- 下一篇：一种薄膜材料及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
