[发明专利]一种二氧化硅及其低温制备方法在审
| 申请号： | 202210655839.3 | 申请日： | 2022-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN115020221A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 李媛媛 | 申请（专利权）人： | 广东越海集成技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01J37/32;H01L23/29 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 陈小龙 |
| 地址： | 510000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二氧化硅 及其 低温 制备 方法 | ||
1.一种二氧化硅的低温制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)将基底置于反应室加热；
2)向反应室通入反应气体，通过等离子体增强化学气相沉积法在所述基底上进行沉积得到二氧化硅薄膜；
其中，所述反应气体包括硅源、硅源载气和氧源；所述等离子体增强化学气相沉积法的沉积温度为120-180℃，所述硅源为正硅酸乙酯。
2.根据权利要求1所述的低温制备方法，其特征在于，所述硅源的通入流量为2-10g/min。
3.根据权利要求1或2所述的低温制备方法，其特征在于，所述氧源为氧气；
优选地，所述氧源的通入流量为2000-10000sccm。
4.根据权利要求1-3之一所述的低温制备方法，其特征在于，所述硅源载气为氦气；
优选地，所述硅源载气的通入流量为3000-6000sccm。
5.根据权利要求1-4之一所述的低温制备方法，其特征在于，所述沉积中，射频功率为200-1000W。
6.根据权利要求1-5之一所述的低温制备方法，其特征在于，所述沉积的速率为
7.根据权利要求1-6之一所述的低温制备方法，其特征在于，所述反应室的压力为2-5Torr。
8.根据权利要求1-7之一所述的低温制备方法，其特征在于，步骤1)中，所述加热的温度为160-200℃。
9.根据权利要求1-7之一所述的低温制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)将基底置于反应室中160-200℃加热；
2)向反应室通入氧气，所述氧源的通入流量为2000-10000sccm，以氦气为载气将正硅酸乙酯带入反应室中，所述氦气的通入流量为3000-6000sccm，所述硅源的通入流量为2-10g/min，射频功率为200-1000W，通过等离子体增强化学气相沉积法在所述基底上进行沉积，所述沉积温度为120-180℃，所述沉积的速率为停止通入正硅酸乙酯，继续通入氧气，进行二次氧化处理，得到二氧化硅薄膜。
10.一种采用权利要求1-9任一项所述的低温制备方法制备得到的二氧化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
