[发明专利]氮化镓衬底、氮化镓单晶层及其制造方法在审
| 申请号： | 202210640644.1 | 申请日： | 2022-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN115233309A | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 张林;魏曙亮 | 申请（专利权）人： | 镓特半导体科技（铜陵）有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/04;C30B25/18;C30B25/20;H01L21/205;H01L29/20 |
| 代理公司： | 铜陵市嘉同知识产权代理事务所(普通合伙) 34186 | 代理人： | 吴晨亮 |
| 地址： | 244000 安徽省铜陵*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了氮化镓衬底、氮化镓单晶层及其制造方法，包括以下步骤：包括以下步骤：提供一异质衬底；利用MOCVD技术在衬底上形成晶种；利用MOCVD技术在晶种上形成氮化镓薄膜层；利用MOCVD技术在氮化镓薄膜层上再生长一层低温氮化镓；低温氮化镓上形成图形化的掩膜层，以掩膜层为掩模，在掩模上进行刻蚀，使其表面形成由若干孔槽构成的孔阵列；对由氮化镓薄膜层、低温氮化镓和掩膜层形成的复合衬底进行高温处理，使得低温氮化镓形成不平整的面貌。本发明的有益效果是HVPE法生长时的高温先将低温氮化镓层破坏，再进行后续生长；因其表层为不平整的氮化镓，氮化镓在生长过程中会碰撞、合并，从而减少位错缺陷，提高了氮化镓外延膜质量。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 衬底 镓单晶层 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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