[发明专利]封装芯片的制作方法、封装芯片及电路模组在审

专利信息
申请号: 202210633591.0 申请日: 2022-06-07
公开(公告)号: CN115050657A 公开(公告)日: 2022-09-13
发明(设计)人: 温翔圣 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L23/31;H01L23/552;H05K1/02;H05K1/18
代理公司: 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 代理人: 刘馨月
地址: 230601 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 本公开提供一种封装芯片的制作方法、封装芯片及电路模组,封装芯片的制作方法包括:形成基底,形成第一封装层,形成屏蔽层,形成第二封装层。其中,基底包括封装基板以及设置于封装基板上的芯片,封装基板包括接地结构,第一封装层覆盖芯片的顶面和侧面,屏蔽层覆盖第一封装层的顶面和侧面,且屏蔽层与接地结构接触,第二封装层覆盖屏蔽层的顶面和侧面。由该制作方法制作而成的封装芯片,屏蔽层可以吸收外界和芯片运转所产生的辐射电磁能量,将累积的电荷通过接地结构进行泄放,从而屏蔽外界设备运行所产生的电磁干扰,同时防止芯片成为电磁干扰源,确保芯片的正常工作。
搜索关键词: 封装 芯片 制作方法 电路 模组
【主权项】:
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