[发明专利]一种硅片的制作方法及硅片有效
| 申请号： | 202210601356.5 | 申请日： | 2022-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN115020540B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 陈养俊 | 申请（专利权）人： | 晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/02;H01L23/544;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人： | 于淼 |
| 地址： | 334100 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片的制作方法及硅片，包括步骤提供晶棒，记录晶棒的拉晶制成数据和晶棒的品质数据；对晶棒进行切片工序，得到第一硅片，记录切片工序的切片制成数据；对第一硅片进行脱胶清洗工序，得到第二硅片，记录清洗工序的清洗制成数据；对第二硅片进行分选工序，得到第三硅片，记录分选工序的分选数据；在第三硅片表面形成标记码得到标记码硅片，标记码包括晶棒的拉晶制成数据、晶棒的品质数据、切片制成数据、清洗制成数据、以及分选数据。本发明制成的标记码硅片中能够追溯到晶棒的原始数据。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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