[发明专利]半导体晶片在审
| 申请号： | 202210600263.0 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN115000030A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 克里斯·哈迪曼;荣-槿·李;法比亚·拉杜勒斯库;丹尼尔·纳米希亚;斯科特·托马斯·谢泼德 | 申请（专利权）人： | 沃孚半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 刘凤迪 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体晶片，包括基底，所述基底包括由基底终止边缘限定的边界；有源区域，所述有源区域通过势垒区域与所述基底终止边缘隔离；以及在所述势垒区域上的电荷重新分配路径，其中，所述电荷重新分配路径耦接到电位。本申请的半导体晶片具有改进的强度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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