[发明专利]一种半导体结构在审
| 申请号： | 202210599310.4 | 申请日： | 2022-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN115020471A | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 肖剑锋;唐怡 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张李静;王黎延 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例提供了一种半导体结构，包括：衬底以及位于所述衬底上方的有源柱，所述有源柱沿第一方向延伸，所述第一方向与衬底平面平行；所述有源柱包括沿第一方向延伸的体区以及环绕所述体区的外围区；所述外围区包括沟道区；其中，所述沟道区的掺杂离子类型和所述体区的掺杂离子类型相同，且所述沟道区的掺杂浓度大于所述体区的掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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