[发明专利]一种半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括:

衬底以及位于所述衬底上方的有源柱，所述有源柱沿第一方向延伸，所述第一方向与衬底平面平行；

所述有源柱包括沿第一方向延伸的体区以及环绕所述体区的外围区；所述外围区包括沟道区；其中，

所述沟道区的掺杂离子类型和所述体区的掺杂离子类型相同，且所述沟道区的掺杂浓度大于所述体区的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述体区包括沿第一方向延伸的内层和包围所述内层的外层，所述内层的掺杂浓度大于所述外层的掺杂浓度。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述体区的掺杂浓度从中心沿着所述有源柱的径向朝向外围逐渐减小。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述外围区还包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区、所述沟道区和所述第二掺杂区沿第一方向依次排布，其中，所述体区还包括未被所述外围区环绕的延伸区，所述延伸区与所述第一掺杂区相邻。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：导电结构，所述导电结构沿第二方向延伸，且与所述延伸区电连接，其中，所述第二方向与所述第一方向相交且与所述衬底平面平行。

6.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：导电结构，所述导电结构沿第三方向延伸，且与所述延伸区电连接，其中，所述第三方向为垂直于所述衬底平面的方向。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述有源柱的数量为多个，多个所述有源柱排列为多个有源柱行和多个有源柱列，所述有源柱行沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交且平行于所述衬底平面，所述有源柱列沿第三方向延伸，所述第三方向为垂直于所述衬底平面的方向。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：位于所述衬底上的导电结构，所述导电结构呈板状，所述导电结构与多个所述有源柱行的延伸区电连接。

9.根据权利要求5-6或8中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述导电结构接地设置。

10.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：多条字线，每条所述字线沿第三方向延伸，且多条所述字线沿第二方向排布，每条所述字线对应一个所述有源柱列，每条所述字线覆盖与其对应的所述有源柱列中的多个所述沟道区；

多条位线，每条所述位线沿所述第二方向延伸，且多条所述位线沿第三方向排布，每条所述位线对应一个所述有源柱行，每条所述位线电连接与其对应的所述有源柱行中的多个第一掺杂区。

11.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：多条字线，每条所述字线沿第二方向延伸，且多条所述字线沿第三方向排布，每条所述字线对应一个所述有源柱行，每条所述字线覆盖与其对应的所述有源柱行中的多个沟道区；

多条位线，每条所述位线沿所述第三方向延伸，且所述多条位线沿第二方向排布，每一所述位线电连接与其对应的所述有源柱列中的多个第一掺杂区。

12.根据权利要求10或11所述的半导体结构，其特征在于，所述字线围绕对应的所述沟道区。

13.根据权利要求10或11所述的半导体结构，其特征在于，所述字线包括相对设置的第一子层和第二子层，所述第一子层和所述第二子层分别覆盖对应的所述沟道区相对的两个侧壁。

14.根据权利要求10或11所述的半导体结构，其特征在于，所述位线围绕对应的所述第一掺杂区。

15.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述位线包括多个子部，多个所述子部与一个所述有源柱列中的所述第一掺杂区沿第三方向交替堆叠。