[发明专利]碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 202210590791.2 | 申请日： | 2022-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN116646249A | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 李承哲;崔嵘澈;黄朝新 | 申请（专利权）人： | 强茂股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 张威 |
| 地址： | 中国台湾高*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，制造方法包括以下步骤：提供半导体基板，通过P型井掩膜对半导体基板进行离子植入以形成P型井区，在P型井掩膜的侧壁设置间隔层并通过间隔层对P型井区进行离子植入以形成P型重掺杂层及N型重掺杂层，将栅极氧化层、多晶硅栅极及第一层间介电层设置在半导体基板上，在多晶硅栅极与第一层间介电层的侧壁设置第二层间介电层，蚀刻N型重掺杂层以形成开口，开口露出P型重掺杂层，设置金属层以覆盖开口、第一层间介电层及第二层间介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
