[发明专利]基于图形化氮化物单晶衬底的发光二极管结构及制备方法在审
| 申请号： | 202210579371.4 | 申请日： | 2022-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN114843379A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 王国斌;闫其昂 | 申请（专利权）人： | 江苏第三代半导体研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/22;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种基于图形化氮化物单晶衬底的发光二极管结构及制备方法。所述发光二极管结构包括氮化物单晶衬底、氮化物层、填平层和发光外延层；所述衬底表面形成有多个规则的图案结构，所述图案结构相对于所述氮化物单晶衬底表面凸起或凹下；所述氮化物层连续共形覆盖在多个所述图案结构上，且两者配合形成反射结构，所述反射结构至少能够反射发光外延层所发射的光；所述填平层表面平整，并连续覆盖在所述氮化物层上；所述发光外延层生长在所述填平层上。本申请的发光二极管结构具有低漏电、长寿命、高出光效率和高发光均匀性等优点，能实现高亮度、高效率的LED器件，在高端应用领域具有很好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 图形 氮化物 衬底 发光二极管 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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