[发明专利]功率半导体模块在审
| 申请号： | 202210577069.5 | 申请日： | 2022-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN115411022A | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | M·谢德;A·韦纳 | 申请（专利权）人： | 赛米控电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H01L23/498;H01L23/367;H02M1/00 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 谢攀;刘继富 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及功率半导体模块，包括柔性的第一衬底和第二衬底、布置在第一衬底和第二衬底之间的第一和第二功率半导体开关，第一衬底具有面朝功率半导体开关的导电的第一金属层、导电的第二金属层以及布置在第一和第二金属层之间的不导电的第一绝缘膜，第二衬底具有不导电的第二绝缘膜和布置在其上的第三金属层，第一和第二功率半导体开关通过第一和第二衬底电互连以形成半桥电路，其具有由第一金属层的第一导体迹线形成并在功率半导体模块运行期间具有第一电极性的第一负载电势直流电压连接部、由第二金属层的导体迹线形成并在功率半导体模块运行期间具有第二电极性的第二负载电势直流电压连接部、由第三金属层的导体迹线形成的交流电压连接部。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 模块 | ||
【主权项】：
暂无信息
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