[发明专利]功率半导体模块

权利要求书

1.功率半导体模块，其特征在于，其包括：柔性的第一衬底(2)、柔性的第二衬底(3)、第一功率半导体开关(T1)和第二功率半导体开关(T2)，所述第一功率半导体开关(T1)和第二功率半导体开关(T2)布置在第一衬底(2)和第二衬底(3)之间，并且它们均具有第一负载电流连接部(C)、第二负载电流连接部(E)以及控制连接部(G)，其中第一衬底(2)具有导电的第一金属层(2a)、导电的第二金属层(2b)以及布置在导电的第一金属层(2a)和导电的第二金属层(2b)之间的不导电的第一绝缘膜(2c)，所述导电的第一金属层(2a)面朝向功率半导体开关(T1，T2)，其中第二衬底(3)具有不导电的第二绝缘膜(3c)和布置在第二绝缘膜(3c)上的第三金属层(3a)，其中第一功率半导体开关(T1)和第二功率半导体开关(T2)通过第一衬底(2)和第二衬底(3)电互连以形成半桥电路(4)，其中半桥电路(4)具有第一负载电势直流电压连接部(DC+)、第二负载电势直流电压连接部(DC-)以及交流电压连接部(AC)，所述第一负载电势直流电压连接部(DC+)由第一金属层(2a)的第一导体迹线(2aa)形成并在功率半导体模块(1)的运行期间具有第一电极性，所述第二负载电势直流电压连接部(DC-)由第二金属层(2b)的导体迹线(2ba)形成并在功率半导体模块(1)的运行期间具有第二电极性，所述交流电压连接部(AC)由第三金属层(3a)的导体迹线(3aa)形成。

2.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，第一功率半导体开关(T1)的第一负载电流连接部(C)布置在第一金属层(2a)的第一导体迹线(2aa)上并且与其导电接触，其中第二功率半导体开关(T2)的第二负载电流连接部(E)布置在第一金属层(2a)的第二导体迹线(2ab)上并与其导电接触，其中第一金属层(2a)的第二导体迹线(2ab)与第二金属层(2b)的导体迹线(2ba)导电连接，其中第一功率半导体开关(T1)的第二负载电流连接部(E)和第二功率半导体开关(T2)的第一负载电流连接部(C)与第三金属层(3a)的导体迹线(3aa)导电连接。

3.根据权利要求2所述的功率半导体模块，其特征在于，第三金属层(3aa)面向功率半导体开关(T1，T2)布置，并且第一功率半导体开关(T1)的第二负载电流连接部(E)和第二功率半导体开关(T2)的第一负载电流连接部(C)导电接触连接到第三金属层(3a)的导体迹线(3aa)。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的功率半导体模块，其特征在于，第二功率半导体开关(T2)以相对于第一功率半导体开关(T1)旋转180°的方式布置，其中旋转轴线在垂直于第一绝缘膜(2c)的法线方向(N1)的方向上延伸。

5.根据权利要求4所述的功率半导体模块，其特征在于，第一功率半导体开关(T1)的控制连接部(G)与第二衬底(3)的另一导体迹线(3ba)导电连接，并且第二功率半导体开关(T2)的控制连接部(G)与第一衬底(2)的另一导体迹线(2ac)导电连接。

6.根据权利要求5所述的功率半导体模块，其特征在于，第二衬底(3)的另一导体迹线(3ba)是第三金属层(3a)的组成部分，或者第二衬底(3)具有第四金属层(3b)，其中第二绝缘膜(3c)布置在第三金属层(3a)和第四金属层(3b)之间，其中第二衬底(3)的另一导体迹线(3ba)是第四金属层(3b)的组成部分。

7.根据权利要求5所述的功率半导体模块，其特征在于，第一衬底(2)的另一导体迹线(2ac)是第一金属层(2a)或第二金属层(2b)的组成部分。

8.根据权利要求1-3中任一项所述的功率半导体模块，其特征在于，在没有布置功率半导体开关(T1，T2)的区域处，不导电的第一绝缘层(6)布置在第一金属层(2a)和第三金属层(3a)之间，其中第一绝缘层(6)是第一衬底(2)和/或第二衬底(3)的组成部分。