[发明专利]一种改善短路特性的碳化硅MOS器件有效
| 申请号： | 202210502977.8 | 申请日： | 2022-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN114613849B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 李伟聪;姜春亮;雷秀芳;林泳浩 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京惟盛达知识产权代理事务所(普通合伙) 11855 | 代理人： | 杨青 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃源街道福*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种改善短路特性的碳化硅MOS器件，通过掺杂薄层的设置，当栅压大于阈值电压时，掺杂薄层内形成导电沟道，由于沟道远离阱区与栅氧化层接触面，不受到界面散射，沟道载流子迁移率增加，使器件具有更低的导通电阻。同时通过电流引导层的设置，从掺杂薄层内形成的导电沟道流出的电流实现横向扩展，再进行纵向流动，进一步降低导通电阻。通过夹断层的设置，当器件处于短路状态时，在漏极的高电压作用下，夹断层被耗尽，电流通路减小，器件电阻增加，从而有效限制短路电流密度。本发明的碳化硅MOS器件在实现正常工作状态下低导通电阻的同时，有效降低在短路状态下的电流密度，保护器件不被烧毁。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 短路 特性 碳化硅 mos 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市威兆半导体股份有限公司，未经深圳市威兆半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210502977.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
