[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构有效
| 申请号： | 202210477973.9 | 申请日： | 2022-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN114628323B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 藏俊生 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司;长鑫集电（北京）存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人： | 苗源 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，涉及半导体技术领域。该半导体结构的制作方法包括：提供具有第一接触孔的半导体基板，第一接触孔在预设截面的图形包括长边侧壁和短边侧壁；于长边侧壁上形成牺牲层；对第一接触孔进行处理，以在第一接触孔下方形成第二接触孔，第二接触孔与第一接触孔连通，以平行于半导体基板的顶面的平面为横截面，第二接触孔的横截面面积小于第一接触孔的部分区域的横截面面积。本公开通过在第一接触孔的长边侧壁上形成牺牲层，有效减少第二接触孔形成过程中长边侧壁和短边侧壁刻蚀长度不一致的问题，保证形成的第二接触孔的质量，防止产生桥接缺陷，提高了导体结构的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
