[发明专利]用于等离子体处理腔室中晶片载体的先进温度控制在审
| 申请号： | 202210449266.9 | 申请日： | 2017-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN114724916A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | F·M·斯李维亚;张春雷;P·克里米诺儿;赵在龙 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/67;C23C16/46;C23C16/50;C23C16/505;C23C16/52;C23C16/56 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 付尉琳;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了用于等离子体处理腔室中晶片载体的先进温度控制系统和方法。在一个示例中，热交换器向工件载体的流体通道提供温度受控的热流体以及接收来自流体通道的热流体。比例阀在热交换器和流体通道之间，以控制从热交换器到流体通道的热流体的流速。气动阀也在热交换器和流体通道之间，也控制来自热交换器与流体通道的热流体的流速。温度控制器接收来自载体的热传感器的测得的温度并响应于测得的温度控制比例阀和气动阀，以调整热流体的流速。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 等离子体 处理 腔室中 晶片 载体 先进 温度 控制 | ||
【主权项】：
暂无信息
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