[发明专利]一种碳化硅复合基板及其制备方法在审
| 申请号： | 202210387910.4 | 申请日： | 2022-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN114959899A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 郭超;母凤文 | 申请（专利权）人： | 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B31/20;C30B31/22 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 赵颖 |
| 地址： | 100083 北京市海淀区花*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅复合基板及其制备方法，所述碳化硅复合基板包括单晶碳化硅层以及碳化硅支撑层，所述单晶碳化硅层与所述碳化硅支撑层之间设置有至少1层金属硅化物层，所述单晶碳化硅层与相邻的金属硅化物层之间设置有第一界面层，所述碳化硅支撑层与相邻的金属硅化物层之间设置第二界面层，所述金属硅化物层的电阻率低于100μΩ·cm。所述碳化硅复合基板有效降低了碳化硅支撑层和单晶碳化硅薄层之间的界面电阻，降低了碳化硅复合基板的制造成本，提高了碳化硅复合基板的应用潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 复合 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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