[发明专利]半导体版图结构及半导体测试结构

摘要

本公开实施例涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体版图结构及半导体测试结构，半导体版图结构包括：有源层，有源层包括第一有源区和与第一有源区相邻设置的第二有源区；第一有源区包括多个间隔设置的第一晶体管区，第二有源区包括多个间隔设置的第二晶体管区，相邻的第一晶体管区对应的有源层相互分离；栅极层，位于有源层上方，包括至少一条沿第一方向延伸的第一栅极结构，以及在第一方向上间隔设置的多个第二栅极结构，第一栅极结构和第二栅极结构相邻设置，第一栅极结构对应于第一晶体管区，第二栅极结构对应于第二晶体管区。本公开实施例有利于在利用半导体版图结构制备半导体测试结构后，改善半导体测试结构的寄生漏电较大的问题。