[发明专利]碳化硅结势垒肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202210373341.8 | 申请日： | 2022-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN114446784A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 张益鸣;刘杰 | 申请（专利权）人： | 深圳芯能半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/308;H01L21/04;H01L29/06;H01L29/66;H01L29/872 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 李艳丽 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区宝龙*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种碳化硅结势垒肖特基二极管及其制备方法。其中，碳化硅结势垒肖特基二极管的制备方法包括：提供碳化硅衬底并在碳化硅衬底的上表面形成N型外延层；在N型外延层的上表面形成第一硬掩膜，并在第一硬掩膜上刻蚀出若干等距的第一开口；在第一硬掩膜和N型外延层之上形成第二硬掩膜，第二硬掩膜的厚度小于第一开口的宽度的一半；对第二硬掩膜进行刻蚀，直至暴露N型外延层；向第二开口注入P型离子；清除第一硬掩膜和第二硬掩膜并在N型外延层的上表面形成肖特基金属层。本申请可以摆脱既定的光刻制程和刻蚀线宽的限制，在不增大肖特基接触的前提下，通过进一步减少P型注入区的表面积大小，使得肖特基结在肖特基接触中的面积占比增大。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 结势垒肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳芯能半导体技术有限公司，未经深圳芯能半导体技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210373341.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
