[发明专利]一种半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202210369163.1 | 申请日： | 2022-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN116940111A | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 尹晓明;周俊;王桂磊 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院;长鑫科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 刘凯强;张奎燕 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请提供了一种半导体结构及其制备方法。所述一种半导体结构，包括：层叠设置的衬底、第一结构和第二结构；所述第一结构包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管包括第一晶体管源极、第一晶体管沟道、第一晶体管栅极和第一晶体管漏极，所述第二晶体管包括第二晶体管源极、第二晶体管沟道、第二晶体管栅极和第二晶体管漏极，所述第一晶体管沟道为凹字型结构，第一晶体管栅极位于第一晶体管沟道的凹型结构内，所述第二晶体管沟道为凹型结构，第二晶体管栅极位于第二晶体管沟道的凹型结构内；第二结构，所述第二结构包括第一连接线，所述第一连接线被配置成电连接所述第一晶体管漏极和所述第二晶体管栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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