[发明专利]GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管在审
| 申请号： | 202210366535.5 | 申请日： | 2022-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN114725257A | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 张彩霞;印从飞;程金连;胡加辉;金从龙 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;C30B25/16;C30B25/18;C30B29/40;H01L33/00;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 南昌旭瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 36150 | 代理人： | 彭琰 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，GaN基发光二极管外延片包括多量子阱层，多量子阱层为量子阱层和量子垒层交替生长的周期性结构；其中，最后一个生长的量子垒层为复合量子垒层，复合量子垒层包括依次生长的InN子层、InAlGaN子层和AlN子层，InAlGaN子层的In组分沿外延生长方向渐变降低，且InAlGaN子层的Al组分沿外延生长方向渐变升高。本发明通过对最后一个量子垒做特殊设计，提升了量子阱层与P层的晶格匹配，能阶渐变过渡，有效的减小了量子阱与电子阻挡层价带形成的势垒尖峰，有利于空穴的注入，同时起到了部分电子阻挡层的作用，减少电子溢流，提升了发光二极管的发光效率，也有利于其抗静电能力的提升。 | ||
| 搜索关键词： | gan 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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